《固体物理基础教学课件》第5章-半导体.pptVIP

p n 满 带 空 带 重掺杂 p n 满 带 空 带 普通掺杂 同质结激光器 5.7 半导体激光器 p n 阻挡层 E内 - + + - + - + - + - 加正向偏压V ? 粒子数反转 Ｅ外 E内 p n 阻挡层 + - - - - - + + + + p n 满 带 空 带 eU0 p n 满 带 空 带 e(U0-V) 电子空穴复合发光 5.7 半导体激光器 ． 适当镀膜达到所要求 的反射系数，可形成光振荡并利于选频。 激励能源就是外接 电源（电泵）它提供正向电流，使电子空穴的复合不断进行，维持激光的输出 由自发辐射引起受激辐射 p-n结本身就形成一个光学谐振腔，它的两个端面就相 当于两个反射镜， 5.7 半导体激光器 解理面 p-n结 核心部分： p型GaAs n型GaAs 典型尺寸（?m） ： 长 L= 250 – 500 宽 W = 5 – 10 厚 d = 0.1- 0.2 GaAs同质结半导体激光器 同质结的缺点是需要重掺杂，且光损耗大 5.7 半导体激光器 导带 禁带 价带 p I n p I n - - - - - - - + + + + + + E内 U0 导带 禁带 价带 三块半导体 紧密接触，形成 p-I-n 结 I n p 加正向偏压实现粒子数反转 （本征） 需要电压较高 + - p I n E内 E外 5.7 半导体激光器