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第8回高輝度?高周波電子銃研究会 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 NEA-GaAsフォトカソードの劣化機構 広島大学大学院　先端物質科学研究科 飯島北斗、栗木雅夫、久保大輔（M2） 増元勇騎（M1）、細田誠一（D4） 2011/1/12 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 概要 残留ガス吸着によるNEA劣化 QMS-TPDによる表面の吸着物の測定 まとめ 2011/1/12 第8回高輝度?高周波電子銃研究会 　NEA-GaAsフォトカソードは低エミッタンスで偏極した電子を発生できることから、ERL次世代放射光源の様な大型加速器のみならず電子顕微鏡などの電子源としても研究開発が進められている。一方、その寿命は他の電子源と比べて短く、これを改善することが大きな課題である。広島大学ではNEA-GaAsフォトカソードの長寿命化を目指して研究を行っている。 本日の話の内容 * NEA-GaAsフォトカソード NEAとは半導体表面の真空準位が伝導帯の準位よりも低い状態。 CsとOを蒸着することでNEA表面を形成。 GaAsのバンドギャップに合わせた光で電子を放出させれば余計なエネルギーをもたずに引き出せるので低エミッタンスが実現できる。 金属カソードに比べて