n阱CMOS芯片制作工艺设计.doc

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2016-12-29 发布于贵州
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《集成电路设计实践》报告题目： n阱CMOS芯片制作工艺设计院系：自动化与信息工程学院电子工程系专业班级：班学生学号：学生姓名：指导教师姓名：职称：起止时间： 2016-1-4--2015-1-18 成绩：目录一．设计要求 1 1、设计任务.....................................................1 2、特性指标要求.............................................1 3、结构参数参考值..........................................1 4、设计内容.....................................................1 二、 MOS管的器件特性参数设计计算 2 1、NMOS管参数设计与计算。 2 2、PMOS管参数设计与计算。 3 三、工艺流程分析 4 1、衬底制备.....................................................4 2、初始氧化.....................................................4 3、n阱光刻......................................................4 4、n阱形成(磷离子注入)...............................5 5、氮化硅淀积................................................5 6、光刻有源区................................................5 7、场区氧化....................................................5 8、阈值电压调整............................................6 9、多晶硅淀积................................................6 10、光刻多晶硅..............................................6 11、n+区光刻...................................................6 12、P+区光刻...................................................6 13、淀积PSG...................................................7 14、光刻与刻蚀接触孔..................................7 15、蒸铝、刻铝..............................................7 16、光刻钝化孔..............................................7 四、光刻工艺分析与版图形成..........................7 1、n阱光刻.....................................................8 2、有源区光刻................................................8 3、光刻多晶硅................................................8 4、n+区光刻...................................................8 5、p+区光刻............