半导体器件基础2.ppt

半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 基本概念 Bipolar Junction Transistor 晶体管的发明 晶体管的特性 制备工艺 理想NPN掺杂分布 集电结外延，发射结离子注入 晶体管的静电特性 两个独立的PN结构成 背靠背二极管 工作原理 特性参数 发射效率(PNP) 基区输运系数 特性参数-1 共基极直流电流增益 特性参数-2 共发射极直流电流增益 小结 BJT的基本概念 BJT的结构与工艺 BJT的工作原理 特性参数 半导体概要 载流子模型 载流子输运 pn结的静电特性 pn结二极管：I-V特性 pn结二极管：小信号导纳 pn结二极管：瞬态特性 BJT的基础知识 BJT静态特性 BJT动态响应模型 MOS结构基础 MOSFET器件基础 JFET 和 MESFET简介 理想晶体管模型 基本假设 载流子在基区的运动是一维的。 基区宽度大于载流子的平均自由程、因而能够将载流子在基区的输运看作是扩散+漂移; 基区中准中性近似成立。 准中性区满足小注入条件。非平衡少于密度低于同一位置上的多子平衡态密度。 忽略基区复合，对于现代高?晶体管这一条是成立的。