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- 2016-12-27 发布于广东
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第2章 半导体三极管 2.1.1 三极管的结构和电路符号 NPN型三极管的结构示意图如图2.1.1(a)所示,PNP型三极管的结构示意图如图2.1.1(b)所示。 三极管的结构 三极管是由有两个PN结的三层半导体制成的,它有三个区,两边分别是发射区和集电区,中间是一层很薄的基区。由三个区引出的三根引线就是三极管的三个电极,分别称为发射极e、基极b和集电极c;发射区和基区交界处的PN结称为发射结,集电区和基区交界处的PN结称为集电结;发射结和集电结通过很薄的基区联系在一起。 三极管的电路符号 电路符号中箭头的方向表示发射结正偏时发射极电流的实际方向。NPN型和PNP型BJT具有几乎等同的特性,只不过两者各电极端的电压极性和电流的流向相反而已。 三极管具有电流放大作用的内部条件(结构特点) 发射区的掺杂浓度最高,基区很薄、掺杂浓度最低,集电结的面积最大。 2.1.2 放大模式下三极管的电流放大作用原理 三极管的工作模式(状态) 根据发射结和集电结设置的偏置电压,三极管有四种工作模式(状态):放大、饱和、截止和倒置模式(状态),如表2.1.1所示。
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