西安交通大学 赵进全 模拟电子技术基础 第三章.pptVIP

  • 10
  • 0
  • 约7.74千字
  • 约 107页
  • 2016-12-29 发布于贵州
  • 举报

西安交通大学 赵进全 模拟电子技术基础 第三章.ppt

故 由于 + _ _ + g s d _ + b. 求输入电阻Ri 故 c. 求输出电阻Ro 画出求Ro的等效电路 + _ _ + g s d _ + + _ _ + g s d _ + 由于 ugs=ui=0 1. 比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管 放大电路,在电路结构上有何相似之处?在性能 上各有何特点? 2. 增强型绝缘栅场效应管放大电路的直流偏置能否 采用自给偏压方式?为什么? 思 考 题 [例1] 在图示电路中: O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) 练 习 题 RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - (1) 如果电路输入、输出电压的波形分别如图(a)、(b)所示。试问该电路的静态工作点可能处于或靠近哪个区? (2) 已知T工作于放大区及IDQ,RG1和RG2,求RS; (3) 在线性放大条件下,写出电路的Au、Ri及Ro的 表达式。 O ui uo 3p O 2p p w t 3p 2p p w t (a) (b) RG2 T +VDD RS RG RL C2 uo + ui + C1 CS + RG1 RD + - [解] 由图可知,该电路是一由N型沟道增强型MOS场效应

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档