微电子器件测试与封装-第四章及答案.ppt

1、ICEO,ICBO,IEBO 2、BVCEO,BVCBO,BVEBO 3、VCESAT、VBESAT 4、hFE 5、VFBE 、VFBC 、VFEC 6、开关时间：TS、TF 7、热阻 VF VR IR 自动分选机 1.測試項目(IGSS)，測試線路如右： 2.測試項目(IDSS)，測試線路如右： 3.測試項目(BVDSS)，測試線路如右： 4.測試項目(VTH)，測試線路如右： 5.測試項目(Rdson)，測試線路如右： 5.測試項目(Rdson)，測試線路如右： 6.測試項目(VFSD)，測試線路如右： 7.測試項目(VP)，測試線路如右： 8.測試項目(GMP)，測試線路如右： MOSFET的交流參數 AC PARAMETER DYNAMIC CHARACTERISTICS CISS , COSS ,CRSS GATE CHARGE QG/QGS/QGD TURN-ON/OFF DELAY TIME TD (ON) /TD (OFF) RISE / FALL TIME TR /TF MOSFET的交流參數 RDSON：導通電阻值 ,低壓POWER MOSFET最受矚目之參數 RDS(on)=RSOURCE + RCHANNEL + RACCUMULATION + RJFET + R DRIFT(EPI) + RSUBSTRATE 低壓POWER MOSFET 導通電阻是由不同區域的電阻所組成，大部分存在於RCHANNEL，RJFET及REPI，在高壓MOS則集中於REPI。為了降低導通電阻值，Mosfet晶片技術上朝高集積度邁進，在製程演進上，TRENCH DMOS以其較高的集積密度，逐漸取代PLANAR DMOS成為MOSFET製程技術主流。該特性與溫度成正比. Page * SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的测试 内容|半导体器件的测试 測試方法： GS給電壓，DS端給電流ID，量測VDS 用VDS/ID 得到Rdson 1.分立器件測試機均是由此公式換算得出 2.KDK-2002/2003在寫測試條件時，Range部分請選擇10,其PNP極性VGS需寫成負值 測試目的： 在產品出現Ball off異常時，可用來加嚴測試，篩 選出異常品 Page * SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的测试 内容|半导体器件的测试 測試方法： 依照客戶要求決定測試方法： 1.一個是VGS=0V，量測DS間二極管的壓降 2.一個是G腳Open，量測DS間二極管的壓降 VFSD：此為內嵌二極管的正向導通壓降，VFSD=VS-VD 測試目的： 1.檢測晶圓製程中的異常，如背材脫落 2.檢測W/B過程中有無Source wire球脫現象 Remark：Tesec 881中，VFSD+ 可以寫成VGS=0V,VFSD代表G腳Open Page * SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的测试 内容|半导体器件的测试 測試方法： 給GS一個電壓，從DS間灌入一個電流(一般為250uA)調整IG直到ID=設定電流，量測VGS=VG-VS VP：夾斷電壓 測試目的： 1.檢測Source Open（Source未打線或者有Ball off現象），如果Source未打線，則VP=VGS Limit=28V 2.當GS OK,DS Short，此時VP=Vgs limit Page * SHENZHEN SI SEMICONDUCTORS CO.,LTD MOSFET的测试 内容|半导体器件的测试 測試方法： GD Short，從DS間灌入一個電流(一般為250uA)量測IDS及VGS,用ID/VGS 得到GFS GMP：又叫GFS.代表輸入與輸出的關係即GATE 電壓變化,DRAIN電流變化值,單位為S.當汲極電流愈大,GFS也會增大.在切換動作的電路中,GFS值愈高愈好. 測試目的：檢驗產品在某種條件下的電流與電壓的變化量 G D S FORCE IDS=250uA MEASURE IDS/VGS VDS 在Tesec 881中，可以用Delta I/Delta Vp來進行替換測試，其 時間要求如下： VP1:ID Ti