有机场效应晶体管OFET课件.pptVIP

基本原理： 主要构思： 有机场效应晶体管（OFET） 实验 1. 器件类型：有机场效应晶体管（OFET） 2.器件结构：底栅顶接触（Bottom Gate、Top Contact） 衬底： Si wafer 50nm (Gate dielectric) 硅片经丙酮、异丙醇超声清洗后用UV-ozone照射15min（激活硅片表面）； 硅片放入装有二氯甲烷的容器中（浸没），滴上15滴OTS（Octadecyltrichlorosilane_十八烷基三氯硅烷），用铝箔纸密封避光，使其静置6小时（分子自组装修饰基底，使基底呈疏水态）； 将硅片取出后用丙酮清洗，之后盖上掩膜板（shadow mask）再次用UV-ozone照射15min（掩膜板遮住的部分为OTS疏水区域，在掩膜板镂空的部分，OTS被UV-ozone打掉，即为亲水区域）——这一步为衬底OTS-patterned； 将图案化后的硅片再次用丙酮、乙醇清洗； 实验 将清洗过后的硅片旋涂(spin-coating) HMDS(hexamethyldisilazane) 两次——这一步目的为修饰