《PNP工艺流程.pptVIP

PNP晶体管工艺流程 作者：余文博、冯浪 卢思宇、刘正林 双极工艺发展过程中，在早期的标准双极（或常规双极）工艺集成的基础上陆续推出了多晶发射极双极、互补双极、SiGe双极、SOI全介质隔离双极等工艺。 衬底制备 衬底选用P型硅；为了提高隔离结的击穿电压而又不使外延层在后续工艺中下推的距离太多，衬底电阻率选10~20欧姆·厘米；为了获得良好的PN结面，减少外延层的缺陷，选用（111）晶向，稍偏离2。~5。。 对得到的晶圆进行清洗、烘干，为下一步加工创造条件。 一次氧化 将衬底片放入1100摄氏度氧化炉中通入氧气（干氧）氧化10分钟后；以湿氧化方法（以氧气通入沸腾的水中，让氧气携带水汽进入高温炉管中对硅片进行氧化）氧化90分钟；再换用干氧氧化30分钟，生成设定厚度的二氧化硅层，作为埋层扩散掩蔽层。 隐埋层光刻、扩散 隐埋层光刻 隐埋层扩散：将衬底片置于炉内，以含砷物质（三氧化二砷）为掺杂源，在低温下淀积1小时；在高温1225摄氏度下，使埋层区内淀积的砷杂质推进扩散足够时间，使掺杂层结深达到设定深度，并达到设定掺杂层薄层电阻。该掺杂层作为埋层，以提高器件性能。 注：隐埋层杂质的选择原则：1、杂质固溶度大，以使集电极串联电阻降低；2、高温时在硅中的扩散系数要小，以减小外延时隐埋层杂质上推到外延层的距离；3、与硅衬底的晶格匹配好，以减小应力。 外延层淀积 在