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南京大学 期终复习 2010.01.07 半导体器件原理 南京大学 ECL电路中双极型器件的等比例缩小 1) 等比例缩小原则: 一致地减小主要的电阻与电容部分, 以使主要延迟部分随晶体管的横向尺寸等比例缩小, 保证器件在等比例缩小时的优化设计基本不变 (rb/RL 和CDE/CdBC的比值保持不变). 其它限制: (1)与MOSFET不同, 等比例缩小时开启电压基本保持不变 (2)集电极掺杂浓度应随集电极电流等比例缩小, 以控制等比例缩小时基区扩展效应. (3)在基区宽度缩小时,必须增加基区的掺杂浓度(NB ? WB-2), 以等比例减小WdBE, 避免发射区与集电区的串通. 半导体器件原理 南京大学 (1)集电极电流密度限制 等比例缩小规则要求集电极电流密度和集电极掺杂浓度增加K2 (2)器件击穿导致的限制 较高的速度,但击穿电压却较小, 限制了器件的应用. (3) 功率密度引起的限制 等比例缩小过程中, 电流及电压保持不变,导致功率保持不变或功率密度增加K2. 这导致器件等比例缩小时的芯片功耗增加K2. CMOS器件在备用状态功耗极小, 而ECL电路在备用状态则与处于开关状态消耗同样的功率. 极大的平均功耗极大限制了双极电路的集成度. 等比例缩小的限制 半导体器件原理 南京大学 MOSFET器件、设计与性能 半导体器件原理 南京大学 MOS电容 半导体器件原理 南京大学