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光电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 2.3 半导体材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 第二章 电功能材料 思考题： 1，简述离子导电材料的种类。 2，杂质半导体的种类和能带结构。 六、浅能级杂质和深能级杂质 分类：半导体中的杂质，按它的能级在禁带中的位置，可分为浅能级和深能级。 电离能：电子摆脱束缚产生电离需要一定的能量，即磷在硅中的电离能。硅中掺杂质磷为n型半导体（电子型）。 浅施主（或浅受主）能级：电离能较小。 深能级杂质：杂质的价数与纯元素的价数的差值大于2时，会产生两个及以上的解离能级。第二个及以上能级均在禁带深处。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 七、化合物半导体 化合物半导体在Ⅲ-Ⅴ族，Ⅱ-Ⅵ族，Ⅲ-Ⅳ族和氧化物得到了优先发展。 （一）化合物半导体的分类 （1）按成份分为无机合金化合物、陶瓷、高分子半导体。 如：GaN，ZnO，MgZnO等。 （2）按n、p型分为n型和p型半导体。 （3）按组份分为二元化合物半导体和多元化合物半导体。 Ⅱ-Ⅵ族，ZnS、ZnO。 Ⅲ-Ⅴ族， GaN。Ⅲ-Ⅳ族：SiC。 多元：InGaN。 （二）化合物半导体材料的一些性质 化合物半导体最突出的特点：禁带和迁移率范围宽。禁带在（0.21-0.48）×10-19J（0.13-0.30eV），3.37eV，最高可达7.9eV以上，如MgO；迁移率在-7.625-+0.010范围。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 八、非晶态半导体 （一）什么是非晶态晶体 非晶态物质与晶态物质差别在于长程无序，但也并不是非晶态半导体在原子尺度上完全杂乱无章，而其键长几乎是严格一致的。 短程有序：在较小的范围内，键角限制了最邻近原子的分布。因此，可以在非晶态半导体中测量到光吸收边、激活电导率等一些半导体的特性。 （二）非晶态半导体的特点 对杂质的掺入不敏感。 非晶态半导体结构不具有敏感性，掺入杂质的正常化合价都被饱和。即全部价电子都处在键合状态。具有本征半导体的性质。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 非晶态半导体由于它是非结晶性的，无方向性，没有结晶方式、提炼、杂质控制等麻烦工艺。故便于大量生产，并且价格低廉。 （三）非晶态半导体的种类 按结构：可分为共价型和离子型。 共价型：1，四面体型（SiC），2，“链状型”（S、As2S），3. 交链网络型，GeAsSe。 离子型：氧化物玻璃：V2O5-P2O5。 （四）非晶态半导体的应用 非晶态半导体多制成薄膜，氢化后禁带宽度在1.2-1.8eV之间调节，暗电导