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热敏陶瓷综述 摘要 随着科技的发展，热敏陶瓷以其对温度敏感的特性越来越成为日常生活中各种器件的必要组成部分。尤其是NTC、PTC热敏陶瓷以其特性在温度控制系统中作为开关和利用温差在居里温度点的性质而实现器件预期的工作为主。伴随着工艺的不断改良，热敏陶瓷在未来将会有更大的市场。 关键词 PTC热敏电阻 NTC热敏电阻 温度 半导性 一、引言 PTC热敏电阻于1950年出现，随后1954年出现了以钛酸钡为主要材料的PTC热敏电阻。PTC热敏电阻在工业上可用作温度的测量与控制，也用于汽车某部位的温度检测与调节，还大量用于民用设备，如控制瞬间开水器的水温PTC热敏电阻除用作加热元件外，同时还能起到“开关”的作用，兼有敏感元件、加热器和开关三种功能，称之为“热敏开关”.电流通过元件后引起温度升高，即发热体的温度上升，当超过居里点温度后，电阻增加，从而限制电流增加，于是电流的下降导致元件温度降低，电阻值的减小又使电路电流增加，元件温度升高，周而复始，因此具有使温度保持在特定范围的功能，又起到开关作用.利用这种阻温特性做成加热源，作为加热元件应用的有暖风器、空调等，还可对电器起到过热保护作用。NTC材料应用场合也十分广泛如：电子温度计、电子万年历、加热恒温电器；汽车电子温度测控电路；温度传感器； 医疗电子设备、电子盥洗设备；手机电池及充电电器等[1]。热敏陶瓷的出现无疑对人类生活作出了巨大贡献，但是，我们对于热敏陶瓷的探索并没有停止。 二、热敏陶瓷概况 1.热敏陶瓷及其分类 热敏陶瓷材料是半导体陶瓷材料中的一类,其电阻率约为10-4~107Ω.cm热敏陶瓷是对温度变化敏感的陶瓷材料。热敏陶瓷可分为以下三类： 第一类是正温度系数热敏电阻陶瓷，简称PTC热敏陶瓷正温度系数热敏陶瓷的电阻率随温度升高按指数关系增加。这种特性由陶瓷组织中晶粒和晶界的电性能所决定，只有晶粒充分半导体化、晶界具有适当绝缘性的陶瓷才具有这种特性。常用的正温度系数热敏陶瓷是掺入施主杂质、在还原气氛中烧结的半导体化BaTiO陶瓷，主要用于制作开关型和缓变型热敏陶瓷电阻、电流限制器等。 负温度系数热敏电阻陶瓷，简称NTC热敏陶瓷负温度系数热敏陶瓷的电阻率随温度升高按指数关系减小。这种陶瓷大多是具有尖晶石结构的过渡金属氧化物固溶体，即多数含有一种或多种过渡金属(如Mn，Cu，Ni，Fe等)的氧化物，化学通式为AB2O4，其导电机理因组成、结构和半导体化的方式不同而异。负温度系数热敏陶瓷主要用于温度测量和温度补偿。 临界温度热敏电阻陶瓷，简称CTR热敏陶瓷电阻率在某一临界温度发生突变的热敏陶瓷。用于制造开关器件，故称开关热敏陶瓷。 热敏陶瓷按使用温度区间又分为低温(4～20K、20～80K、77～300K等)陶瓷、中温(又称通用，－60～300℃)陶瓷和高温(300～1000℃)陶瓷3种。PTC、NTC及CTR热敏电阻电阻—温度曲线(R-T曲线)见图1。 （2）伏-安特性 是指热敏电阻器两端的电压和通过它的电流在热敏电阻器的周围介质热平衡时的关系。 NTC热敏电阻伏-安关系为：UT=IR0expBN(1/T–1/TN)，那么对于NTC热敏电阻有以下结论： a.热敏电阻伏-安特性峰值Im=R0exp（-Tm/T）。 b.热敏电阻伏-安特性峰值随R0的增加而增加。 c.在相同的电流I处，如环境温度T0增加，则热敏电阻温度升高，RT下降，P和端电压UT也下降，使伏-安曲线向下移。 d.当耗散系数H增加时，Um和Im也相应增加。 e.当环境温度T0，耗散系数H，室温电阻R0不变，BN增加时，伏安特性的峰值向电压低的方向及电流小的方向移动，下降的斜度增加。 PTC热敏电阻的伏安特性，由于通过热敏电阻器的电流很小，耗散功率引起的温度可以忽略不计。当耗散功率增加，阻体温度超过环境温度，引起电阻增大，曲线开始弯曲。当电压增加至Um时，存在一个电流最大值Im。电压继续增加，由于升温引起电阻值的增加超过电压的增加速度，电流反而减小，曲线斜率由正变负。 （3）时间常数τ 热敏电阻产生初始温度差63.2%的温度变化所需的时间即为热响应时间常数。 （4）耗散系数H 表示热敏电阻温度升高1℃所消耗的功率，描述了热敏电阻工作时与外界环境进行热交换的大小[3]。 2.2热敏电阻PTC效应原理 在低于Tc的温区，为铁电相，存在自发极化，晶界区的电荷势垒被自发极化的电荷分量部分抵消，从而形成低阻通道，使得低温区的电阻较低。在Tc以上的温度范围内，铁电相转变成为顺电相，当两个晶轴取向不同的晶粒接触后，在晶界区有空间电荷，形成势垒，即对电子电导构成电阻。介电常数?急剧下降，则势垒急剧增高，使电阻激增，形成PTC效应。 PTC效应在晶界区形成，由三种现象汇合