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纳米化学第三章
第三章
米子和玻色子区分这两类粒子的重要特征是自旋。自旋是量子化的,这就是说,它只能取普朗克常数的整数倍(玻色子,如光子、介子等)或半整数倍(费米子,如电子、质子等)。
2.基本粒子中所有的物质粒子都是费米子,是构成物质的原材料(如轻子中的电子、组成质子和中子的夸克、中微子)
3.玻色子(boson),是指自旋为整数的粒子。不遵守泡利不相容原理。在低温时可以发生玻色-爱因斯坦凝聚。 符合玻色-爱因斯坦统计。传递作用力的粒子(光子、介子、胶子、W和Z玻色子)都是玻色子。
4. 载流子:晶体中荷载电流(或传导电流)的粒子。金属中为电子,半导体中有两种载流子即电子和空穴。
本征半导体:完全纯净的、且无晶格缺陷的半导体,称为本征半导体。
N型半导体:掺入五价元素掺杂后自由电子数目大量增加,自由电子导电成为这种半导体的主要导电方式,称为电子半导体或N型半导体。
P型半导体:掺入三价元素掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为空穴半导体或 P型半导体。
5.非简并半导体和简并半导体:
掺杂半导体依掺入杂质的浓度高低可分为非简并和简并半导体
(1)非简并半导体——掺入杂质浓度不高,可以认为杂质均匀分散于母体晶体中,杂质能级不互相干涉,从而不能形成杂质能带,而只是一个孤立的局域化的能级,在能带模型中位于禁带,以----表示。此时,费米能级位于禁带中。
(2)简并半导体——掺杂或缺陷浓度十分高(1018-19/cm3),杂质能级发生相互作用,形成杂质能带,导致载流子浓度强烈增加,而半导体的性质发生了质的变化。
6.金属晶体中存在这种未满的能带是金属能导电的根本原因。未满带中的电子在外界电场影响下,并不需要消耗多少能量即能跃入该未满带的空的分子轨道中去,使金属具有导电性。7.费米能级EF 的物理含义及其在能带中的位置:
费米能级在能带中的位置由载流子平衡浓度和电中性条件计算得出。电中性条件:n0+ NA-= p0+ ND+
※本征半导体——T = 0K时,导带和价带的中央
※n型半导体——偏向于导带边的一侧。
※P型半导体——偏向价带边的一侧
※金属和高度简并半导体——导带中,T=0K时电子占据的最高能量
8.※Kubo(久保)理论
Kubo理论是关于金属粒子电子性质的理论。
Kubo对小颗粒的大集合体的电子能态做了两点假设。
(1)简并费米液体假设
(2)超微颗粒电中性假设
9.※3.2 半导体纳米颗粒的能带性质
与块体材料相比,半导体纳米团簇的带隙展宽,展宽量与颗粒的尺寸成反比。在吸收光谱上表现为随尺寸减小吸收带边的兰移。
纳米材料的基本效应
1.量子尺寸效应
当粒子的尺寸下降到某个值时,金属费米能级附近的电子能级由准连续变为离散能级的现象和半导体微粒存在不连续的最高被占据分子轨道和最低未被占据分子轨道能级,能隙变宽现象。
量子尺寸效应主要影响:
(1). 导体向绝缘体的转变 (2). 吸收光谱的蓝移 (3). 纳米材料的磁化率
(磁矩的大小和颗粒中电子是奇数还是偶数有关) (4). 纳米颗粒的发光现象
2 量子限域效应
在光致发光中,如果在能量为hυ的光子作用下价带的电子受到激发但尚不能进入导带成为自由电子,则形成相互束缚的受激电子——空穴对,它对外呈电中性。这些彼此相束缚的受激电子和空穴组成的系统成为激子(Exciton)。
3. 库仑阻塞与量子隧道效应
在电学里,导电是电子在导体内运动的表现,如果两个纳米颗粒不相连,那么电子从一个微粒运动到另一个微粒就会象穿越隧道一样,若电子的隧道穿越是一个一个发生的,则在电压电流关系图上表出台阶曲线,这就是量子隧道效应。如果两个纳米微粒的尺寸小到一定程度,它们之间的电容也会小到一定程度,以至于电子不能集体传输,只能一个一个单电子传输,这种不能集体传输电子的行为称之为库仑堵塞。
4. 小尺寸效应
当超细微粒的尺寸, 与光波的波长, 德布罗意波长等物理尺寸相当或更小时, 晶体物理周期性的边界条件被破坏,非晶态纳米颗粒的微粒表面层附近原子密度减小, 导致声、光、电、磁、热、力学等性质呈现新的小尺寸效应.
5. 表面效应
纳米微粒尺寸小,表面能高,位于表面的原子占相当大的比例.纳米微粒表面活性增加,成为活性极好的催化剂.
6. 宏观量子隧道效应
微观粒子具有贯穿势垒的能力称为隧道效应.
7. 介电限域效应
介电限域是纳米微粒分散在异质介质中由于界面引起的体系介电增强的现象,
第四章 纳米材料的物理化学性能
.纳米微粒的物理性能
第一节 热学性能
1. 纳米颗粒的熔点下降
由于颗粒小,纳米颗粒的表面能高、比表面原子多,这些表面原子近邻配位不全,活性大以及体积远小于大块材料的
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