第四章常用半导体器件原理精选.ppt

四、直流偏置下晶体管的工作状态分析 1）根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。 若反偏或正偏电压小于|UBE(on)|，晶体管截止，IB、IC、IE均为零，外电路决定UBE、UCE和UCB。 2）若发射结的正偏电压达到|UBE(on)| ，则晶体管处于饱和或放大区，再判断集电结正偏还是反偏。 集电结反偏，则为放大状态，UBE= UBE(on)，外电路决定IB，IC=βIB，IE=IC+IB，极电流和外电路计算UCB和UCE。 3）若集电结正偏，晶体管处于饱和状态，则UBE= UBE(on)， UCE= UCE(sat)， UCB= UCE- UBE，再由极间电压和外电路计算IB、IC和IE。 例4.4.1 晶体管电路如图。 UBE(on)=0.6V，β=50。当输入电压Ui分别为0V、3V和5V，分析晶体管的工作状态。 60k 4k － V IB IE IC RB RC UCC 12V Ui 解： 1、Ui=0V，晶体管截止 IC=0，Uo=UCC-ICRC=12V 2、Ui=3V，晶体管放大或饱和 设晶体管放大，则： 3、Ui=5V 晶体管饱和，Uo=UCE(sat) 集电结反偏，晶体管处于放大状态，Uo=UC=4V。 例4.4.2 晶体管电路如图。 UBE(on)=-0.7V，β=50。判断晶体管的工作状态，计算IB、I