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凝固技术考试资料.
一、异质形核的影响因素和形核控制
异质形核的影响因素有:
(1)形核温度
当过冷度达于某一值时,形核速率随温度的降低而迅速增大。
(2)形核时间
单位体积液相中形成晶核的数量是形核速率对时间的积分。
(3)形核基底的数量
由于异质形核是在外来的基底上进行的,所以形核基底的数量决定着形核的数量。
(4)接触角(润湿角)θ
析出固相与外来质点的接触角是决定形核速率的关键因素。而接触角越小,形
核速率就越大。接触角是由析出相与外来质点的原子匹配状况来决定的。
(5)形核基底的形状
润湿角还与形核剂表面粗糙度有关。θ不变时,在凹面、平面、凸面三种表面形状的基底中,凸面上形成的晶胚体积最大,平面上次之,界面为凹面时临界晶核体积最小,形核功最小。
形核过程控制包括三个不同方面的内容:
(1)促进形核
在普通铸件和铸锭的凝固中,人们通常希望得到细小的等轴晶组织,以提高力
学性能。为此,常常采用各种特殊措施促进形核,提高形核速率。如增大冷却速
度,在大的过冷度下形核;利用浇注过程中的液流冲击造成型壁上已凝固晶粒的脱
落;添加晶粒细化剂,促进抑制形核,即孕育处理;采用机械搅拌、电磁搅拌、超
声波振动等措施使已经形成的树枝状晶粒破碎,从而获得大量的结晶核心,最终形
成细小的等轴晶组织。
(2)抑制形核
为了获得单晶,或者实现大过冷度条件下的凝固,或者使形核过程完全被抑制
而得到非晶材料,这些均需要抑制晶核的形成。快速冷却是实现抑制形核的重要途
径之一,但由于所需要的冷却速率必须非常大,所以在技术实现上存在很大困难。
而去除液相中的固相质点来抑制异质形核则属于另一种主要途径。常用的方法
有循环过热法和熔融玻璃净化法等。
另外,由于坩埚表面可能成为异质形核的基底,采用悬浮熔炼或者熔融玻璃隔
离也可以抑制形核。
(3)选择形核
当合金液在远离热力学平衡的大过冷度条件下凝固时,某些在低温下才会形成
的非平衡相可能达到形核条件而优先于平衡相发生形核并长大。因此,通过控制形
核温度或者加入适合于特定相的形核剂(润湿角小)鼓励某些特定相优先进行形核
和生长,这样就可实现凝固过程特定相的选择。
晶体的生长方式
(1)连续长大(也叫正常长大):其界面结构为非小晶面的粗糙界面,其在原子尺度上是坎坷不平的。对于接纳从液相中沉积来的原子来说,其界面各处是等效的,从液相中扩散过来的原子很容易与晶体连接起来。因此,其晶体长大远比光滑界面容易,只要沉积原子的数量不成问题,其长大可以连续不断地进行。
(2)侧面长大:其界面结构为小晶面的光滑界面,其在原子尺度上是光滑的。对
于这种界面结构,因为单个原子和晶面的结合力较弱,它很容易逃逸。因此,这类
界面的长大,只有依靠在界面上出现台阶,然后从液相扩散过来的原子沉积在台阶
的边缘,依靠台阶向其侧面(与界面平行的方向)扩展而进行长大。
侧面长大机制由于原子台阶的来源不同,又可分为:
1、二维晶核台阶。其首先要求在光滑的界面上产生二维晶核,原子向二维晶核的台阶处着落。待台阶消耗完了,进一步长大时,还需要再产生新的二维晶核。
2、晶体中缺陷形成的台阶,这种可分为螺形位错形成的台阶、孪晶沟槽形成的台阶。
单向合金凝固组织的控制参数
自由枝晶的凝固组织控制参数是冷却速率和过冷度, 而定向凝固组织特征尺寸的控制参数则是生长速率和温度。
定向凝固组织中一次枝晶间距λ1与凝固速率R和温度梯度GT的关系:
二次枝晶间距与局部凝固时间τf 间满足如下关系:
对于固溶体型合金定向凝固,其局部凝固时间τf 为,
注:前式适合于等轴晶凝固组织二次枝晶间距的计算,而后式则更适于定向固组织二次枝晶间距的计算。
平衡凝固条件
在平衡凝固过程中,ws与 之间满足如下关系,
凝固结束时?S =1, 因而wS=w0,即固相中溶质均匀分布,并且恒为w0。
固相无扩散
如果枝晶间的液相中溶质均匀混合,而固相扩散可以忽略,则在凝固过程中固
相分数增加d?S引起液相溶质质量分数变化为dwL,从而获得如下溶质守恒方程,
上式的定解条件是,当?S =0时,wS =kw0 , 并且对于任意的wL,恒有wS = kwL ,
从而可求出上式的解为,
上式就是Scheil方程。
如果金属液是在很低的过热度下浇注的,凝固过程中液相处于过冷状态,并且有充分的晶核来源,则柱状晶区无法形成,而获得全部等轴晶组织。显然,等轴晶的形成条件是:
(1) 凝固界面前的液相中有晶核来源; (2) 液相存在晶核生长所需要的过冷度。
等轴晶的形核
形
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