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第1章电力电子器件要素
可关断晶闸管的工作原理——第四次课的重点 导通的GTO(临界饱和状态)关断时,在门极加反向电压,由门极抽取导通时储存的大量载流子,产生足够大的门极电流,让阳极电流降到低于维持电流,从而使管子关断。 * 开关特性不讲 * 学生先看,然后再讲 * 第四次课止 复习一下晶体管和场效应管,预习1.5和1.6 * 第五次课始 提问并回顾:1、评讲作业(第一次):P64:11、12 2、GTO属于什么类型电力电子器件?它与SCR有何相同和不同? 3、回顾晶体管和场效应管。 * 在应用中,GTR一般采用共发射极接法。单管GTR的?值比小功率晶体管小得多,通常小于10,采用达林顿接法可有效增大电流增益。 * 把不同IB下二次击穿的临界点连接起来就形成二次击穿临界线。 * * * 电力MOSFET主要是N沟道增强型器件 * * 自学 * 第五次课止 * 第六次课始 * 导通电阻是同一耐压规格的功率MOSFET的1/10,开关时间是同容量GTR的1/10。 * IGBT的工作原理——第六次课的重点 * * 电气14301、2、3班,加油! 比赛规则 1、老师出题完毕,宣布“抢答开始”后才可以举手 抢答,犯规者失去抢答资格; 2、整个抢答比赛中,每位同学只有一次抢答机会; 3、答对同学期末加5分,答错不扣分,然后重新抢答。 抢答题 1、GTR按开关控制特性属于哪一种器件? 2、GTR按控制信号的性质属于哪一种器件? 5、GTR发生一次击穿时,容易造成GTR的永久性损坏,对吗? 4、GTR的额定电流定义与晶闸管一样吗? 3、GTR工作在开关状态的通态和断态时分别处于什么区域? 抢答题 6、电力MOSFET按开关控制特性属于哪一种器件? 7、电力MOSFET按控制信号的性质属于哪一种器件? 10、电力MOSFET发生二次击穿时,容易造成其永久性损坏,对吗? 9、电力MOSFET能否承受反压? 8、电力MOSFET的主要优缺点是什么? 检 测 题 一、填空题(每空3分,共48分) 1、电力电子电路的四种基本形式:_______变换器、_______变换器、_______变换器和_______变换器。 2、在GTR、SCR、MOSFET、IGBT、GTO和电力二极管这几种电力电子器件中,开关频率最高的是________, ________和______是电压控制型器件,半控型器件是_____,不控型器件是__________。 3、晶闸管的导通条件:________和________。要使已导通的晶闸管保持通态,电流不能降到________以下。 4、通常电力电子变换电路中一般对控制系统和主电路之间进行电气隔离。可由__________和__________实现。 5、绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由______和________ 复合而成的新型复合电力电子器件。 AC/DC DC/DC DC/AC AC/AC MOSFET MOSFET IGBT SCR 电力二极管 阳极正偏 门极正偏 维持电流 光电耦合器 脉冲变压器 GTR MOSFET 二、判断题(对的打√、错的打Χ)(每题4分,共20分) 1、电力二极管的电流一降到零关断后,就具有了反向阻断能力。 ( ) 2、晶闸管的额定电流为100A,指规定状态下允许的最大通态电流有效值为100A。
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