第2章逻辑门电路1要素
2.4 MOS逻辑门 单极型MOS(Metal Oxide Semiconductor)集成电路分PMOS、NMOS和CMOS三种。 NMOS电气性能较好,工艺较简单,适合制作高性能的存储器、微处理器等大规模集成电路。 而由NMOS和PMOS构成的互补型CMOS电路以其性能好、功耗低等显著特点,得到愈来愈广泛的应用。 主要介绍NMOS和CMOS门电路。 NMOS管的开关特性 MOS管和晶体管一样可以当开关用。 如图所示,RD为负载电阻,T为负载。 NMOS管的开关特性 当用增强型NMOS做工作管时,如输入电压vI为高电平(大于开启电压VT)则NMOS管导通,开关闭合,输出电压vO为低电平。 NMOS管的开关特性 输入电压vI为低电平时则NMOS管截止,开关断开,输出电压vO为高电平。 PMOS管的开关特性 ⒈ NMOS 门电路 ⑴NMOS 反相器 ⑵NMOS 与非门 ⑶NMOS 或非门 ⑷NMOS 与或非门 ⑸NMOS 异或门 ⑹NMOS 三态门 ⑴NMOS反相器 T1管为工作管(驱动管、控制管),T2管为负载管,故此电路称为有源负载反相器。 ⑴NMOS反相器 饱和型负载反相器有两个缺点: ⑴NMOS反相器 非饱和型有源负载反相器如图2-26所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS 与非门电路如图2-27所示。 ⑵NMOS与非门 具有两个输入端的NMOS
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