GaAs掺杂体系的电学及磁学性质研究-开题报告.doc

毕业设计(论文) 开 题 报 告 题 目 GaAs掺杂体系的电学及磁学性质研究 学 院 电气与控制工程学院 专业及班级 微电子学 班 姓 名 学 号 指 导 教 师 日 期 2014年3月21日  西安科技大学毕业设计(论文)开题报告 题 目 GaAs掺杂体系的电学及磁学性质研究 选题类型 理论研究 一、选题依据 1.1 国内外研究现状及发展趋势 半导体技术是近几十年来发展最为迅速的技术，随着它的飞速发展，给科学技术乃至人们的日常生活带来了翻天覆地的变化。元素半导体材料如硅（Si)、锗（Ge)在20世纪40年代被应用于半导体器件中，到了 80年代，Si的超大规模集成电路已进入实用阶段。同时，以砷化镓（GaAs)为代表的化合物半导体材料也迅速发展起来，使得半导体光电子材料与器件成为了半导体技术的一个新分支。最初以硅（Si)、锗（Ge)为代表的元素半导体材料我们称之为第一代半导体材料。以GaAs、InP等为代表的化合物半导体材料称为第二代半导体材料。1952年德国威克尔（Welker)提出Ⅲ-Ⅴ族化合物具有与Si、Ge相类似甚至更优越于它们的半导体性质，从此以后，人们对Ⅲ-Ⅴ族化合物的性质、应用领域和制备工艺进行了深入研究，并取得了巨大的进展，尤其是在微电子学和光电子学方面更是得到了广泛的应用。 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是指在元素周期表中Ⅲ族元素B、A1、Ga、In和Ⅴ族元素N、P、As、Sb化合而成的15种化合物。GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，砷化镓材料最早见报于1929年,是由一位名叫高德斯密特(Goldschmidt)的科学家合成出来的,但是,直到1952年,才出现了有关砷化镓在半导体电学性能方面的研究报道。与传统硅半导体材料相比，GaAs具有禁带宽、直接带隙、载流子迁移率高、消耗功率低、抗福射能力强和应用温度范围广等优点，在超高速、超高频、低功耗器件和电路领域，特别是在光电子器件和光电集成等方面具有十分重要的应用。近些年来，以GaAs为代表的化合物半导体材料以它优良的光电特性已经成为用途最广泛、生产量最大、最为重要的半导体材料之一。随着现代工业冶炼提纯技术的进步和微电子技术的发展,砷化镓材料已是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料中应用最为广泛、相关技术最为成熟的材料。 Ⅲ-Ⅴ族半导体广泛应用于现代新型电子器件。通过同现代半导体工艺相容的方法引入高浓度的磁离子使非磁性的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体带磁性。磁离子的引入会给传统的非磁半导体电子、光电子材料带来不同的特性,甚至能由此引发一场新的技术革命。但Ⅲ-Ⅴ族半导体磁性化的主要障碍是磁离子在其中的固溶度太低。由于磁效应大致正比磁离子的浓度,低于1018cm-3固溶度的磁离子起不了什么作用,因此这一研究领域一直裹足不前。但随着材料外延技术的发展,分子束外延技术的低温非平衡生长工艺克服了这一困难。继1989年Munekata等人成功生长出InAs和MnAs之后,GaAs和其它一些Ⅲ-Ⅴ族磁半导体也相继得到了制备。同时,外延生长的铁磁/半导体层异质结薄膜甚至磁共振隧穿二极管也得到了长足的发展。 目前许多稀磁半导体其铁磁性的居里温度早已超过液氮温度,并正在寻找室温稀磁半导体材料。稀磁半导体材料最近受到如此重视与自旋电子学的发展有极大的关系。稀磁半导体有着半导体的电子能带结构,而且晶格常数也与一般半导体类似,因此在作电子器件时能够和一般半导体有一良好的接触,而且可避免金属/半导体接触常有的生成金属-半导体化合物的问题,这种化合物甚至会使得电子自旋通过时发生跳变,而在传输过程保持自旋记忆正是自旋晶体管等自旋电子学器件成功应用的重要条件之一。 自旋电子学是目前固体物理和电子学中的一个热点,其核心内容是利用和控制固体或半导体中的载流子的自旋自由度。近年来以稀磁半导体为代表的自旋电子学的研究相当活跃,各国科研机构和各大公司都投入了巨大财力和人力从事此领域的研究。利用具有磁性或自旋相关性质的稀磁半导体材料可制出一类新型器件———既利用电子、空穴的电荷也利用