电力电子技术—§2 Power Devices.pptVIP

通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时，开关损耗可能成为器件功率损耗的主要 因素。 1.6 其他新型电力电子器件（复合） 1.6.1 MOS控制晶闸管MCT 1.6.2 静电感应晶体管SIT 1.6.3 静电感应晶闸管SITH 1.6.4 集成门极换流晶闸管IGCT 1.6.5 功率模块与功率集成电路 MCT为MOSFET与晶闸管的复合： 承受极高di/dt和du/dt，快速的开关过程，开关损耗小。 高电压，大电流、高载流密度，低导通压降。 关键技术问题没有大的突破，电压和电流容量都远未达到预 期的数值，未能投入实际应用。 优点: 工作频率与电力MOSFET相当，甚至更高，功率容量更大， 因而适用于高频大功率场合。 在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感 应加热等领域获得应用。 缺点： 栅极不加信号时导通，加负偏压时关断，称为正常导通型器 件，使用不太方便。 通态电阻较大，通态损耗也大，因而还未在大多数电力电子 设备中得到广泛应用。 1.6.3 静电感应晶闸管SITH 1.6.4 集成门极换流晶闸管IGCT 将多个器件封装在一个模块中，称为功率模块。 可缩小装置体积，降低成本，提高可靠性。 对工作频率高的电路，可大大减小线路电感，从而简化对保护和缓冲电路的要求。 将器件与