N阱CMOSN阱CMOS.doc

《微电子技术综合实践》设计报告 题目： N阱CMOS芯片薄膜工艺设计 院系： 自动化学院电子工程系 专业班级： 学生学号： 学生姓名： 指导教师姓名： 成绩：  题目一：n阱CMOS芯片制作工艺设计 一．设计指标要求 1. 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） p沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTp= -1V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥0.5mS, 截止频率fmax≥1GHz（迁移率μp取220cm2/V·s） 2. 结构参数参考值： p型硅衬底的电阻率为50 ((cm； n阱CMOS芯片的n阱掺杂后的方块电阻为690(/(，结深为5~6(m； pMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度1(1020cm-3，结深为0.3~0.5(m； nMOS管的源、漏区掺杂后的表面浓度1(1020cm-3，结深为0.3~0.5(m； 场氧化层厚度为1(m；垫氧化层厚度约为600 ?；栅氧化层厚度为400 ?； 氮化硅膜厚约为1000 ?；多晶硅栅厚度为4000 ~5000 ?。 二．设计内容 MOS管的器件特性参数设计计算； n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果；分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图）； 薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化、栅氧化、多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等的工艺方法和工艺条件(给出具体温度、时间或流量、速度等)，并进行结深或掩蔽有效性的验证。 MOS管的器件特性设计 1、PMOS管参数设计与计算： 因为,其中，6×， 所以?（为便于计算取400?） 饱和电流：，式中（VGS-VT）≥VDS(sat)， 则 IDsat≥1mA 故可得宽长比： 由 可得宽长比： 取PMOS衬底浓度为查出功函数差与掺杂浓度的关系可知： 取发现当时；=0.23V,,=1.18×10cm，=，符合要求, 又可知,便于计算及工艺对称美观性， 故取 ，2.5=2.5×26=65（同一CMOS上，所以） 2、NMOS管参数设计与计算： 由得?（为便于计算取400?） , 则 得 又， 得 再由， 式中（VGS-VT）≥VDS(sat)， 得 阈值电压 （取=5×q） 取时， =0.365V， 此时=2.23, 6.78×， 发现符合要求, 又得 因此便于计算取L=2. 则W= 四．工艺流程分析 1、衬底制备。 由于NMOS管是直接在衬底上形成，所以为防止表面反型，掺杂浓度一般高于阈值电压所要求的浓度值，其后还要通过磷离子注入来调节。CMOS器件对界面电荷特别敏感，衬底与二氧化硅的界面态应尽可能低，因此选择晶向为100的P型硅做衬底，电阻率约为50Ω?CM。 2、初始氧化。 为阱区的选择性刻蚀和随后的阱区深度注入做工艺准备。阱区掩蔽氧化介质层的厚度取决于注入和退火的掩蔽需要。这是N阱硅栅CMOS集成电路的制造工艺流程序列的第一次氧化。 ← ← 3、阱区光刻。 是该款N阱硅栅CMOS集成电路制造工艺流程序列的第一次光刻。若采用典型的常规湿法光刻工艺，应该包括：涂胶，前烘，压板，曝光，显影，定影，坚膜，腐蚀。去胶等诸工序。阱区光刻的工艺要求是刻出N阱区注入参杂，完成N型阱区注入的窗口 4、N阱注入。 是该N阱硅栅COMS集成电路制造工艺流程序列中的第一次注入参杂。N阱注入工艺环节的工艺要求是形成N阱区。