3 第三章 晶体缺陷 -2015.pptVIP

2、位错的产生 纯晶体凝固过程中产生的位错： a、凝固过程杂质原子不均匀分布=成分不同=晶块点阵常数不同=位错过渡 b、温度浓度梯度、振动=生长晶体偏转、弯曲=位相差=位错过渡(刃型位错构成的小角度晶界) c、相邻晶粒碰撞、体积变化、热应力=台阶或变形=产生位错(小平面生长—螺型位错形成) 快速凝固=过饱和空位=聚集=位错 热应力和组织应力=界面和微裂纹附近的应力集中=局部滑移=位错 除了塑性变形之外，位错的生成原因有哪些？-Important 晶体生长过程：包括液固相变和气固相变。界面。 塑性变形是产生位错、使位错增加的更重要原因！ * 《材料科学基础》CAI课件-郭开元 * 3、位错的增殖 事实上：位错密度增加，可达4-5 个数量级， 因此，必有位错增殖！ 理论上，位错滑移到表面=宏观变形 （使位错减少？） 增殖机制： 1、Frank-Read 位错源 2、双交滑移增殖 3、攀移增殖 * 《材料科学基础》CAI课件-郭开元 * 图3.34 F-R源动作过程 刃型位错AB的两端A和B被位错用结点钉扎住。 m,n两处同属纯螺型位错，但位错性质恰好相反，两者相遇时，彼此便会抵消，这使原来整根位错线断开成两部分，外面为封闭的位错环，里面为一段连接A和B的位错线，在线张力作用下变直恢复到原始状态。 在外力的继续作用下，它