STM实验分析.docxVIP

实验3.3扫描隧道显微镜研究材料表面结构与态密度分布材料的结构和电子态密度分布决定了材料的基本性质。测量材料的结构和态密度分布是研究材料性能、应用，以及进行改性与新材料设计的基本要求。长期以来，人们对材料微观空间结构与电子态结构信息的探索主要是利用微观粒子（光子、电子等）与材料相互作用时的衍射和电子、光子激发现象，比如X射线衍射、低（高）能电子衍射、扫描/透射电子显微镜、X射线光电子能谱等将材料结构信息或者电子态密度信息反映出来。这些方法在已知、未知材料的分析方面获得极大成功，已经成为重要的材料测试手段。但是它们通常反映的是材料的宏观的和周期性结构信息，是材料信息的平均效应，缺乏表面微结构甚至单分子的态密度测量能力。扫描隧道显微镜（STM）的发明从根本上解决了这个问题。1981年，Gred Binnig和Heinrich Rohrer在IBM Zurich实验室实现了尖锐W针尖和鉑样品间电子的真空隧穿，并实现了针尖在样品表面上的扫描，诞生了第一台扫描隧道显微镜[1,2]。1983年，Binnig等人第一次观察到了具有单原子分辨的Si(111)-7×7表面STM图像[3]，揭示了其一个元胞内包含12个顶戴原子和一个孔洞的事实，其后仅仅两年，Takayanagi就提出了这个复杂表面的正确的结构模型（如图1所示）[4]，结束了自LEED首次观察到Si(111)表面7×7衍射[5]长达二十多年关于其表面原子结构的争论，初步显示了扫描隧道显微镜的优势。图1. 左图为Si(111)-7×7表面的STM图像，其中每个亮点代表一个硅原子。右图为其结构模型（DAS模型）。与其它表面分析工具相比，STM具有无可比拟的空间分辨率。另外其优越性还体现在STM提供的是实空间信息，而不是k空间（倒易空间）信息（衍射技术提供的是结构的k空间信息），这对于分析复杂表面尤其重要，Si(111)-7×7就是很好的例证；其次，STM不但能对周期性结构进行成像，还可以研究各种局域的非周期的表面结构，如缺陷，吸附原子分子等。由于扫描隧道显微镜的工作原理本身并不要求极端的工作环境（真空、低温等），因此大气下、液体（不导电）中都是STM发挥功用的地方。这是很多其它仪器不能比的优势，例如各类电镜要求在真空条件下产生电子束等。STM不仅可以让人们在实空间直接对原子排列成像，展现原子尺度下物理世界的风景，更为重要的是，它能测量与表面电子行为相关的原子级局域的各种物理化学特性和过程, 如局域态密度、局域功函数、表面原子扩散及表面局域化学反应等，而且是进行原子分子操纵和纳米结构加工，在纳米尺度实现“人工手术”的强有力工具。但是STM也有其缺点，首先是它只能探测表面一到两层原子（分子）的信息，更深的原子（分子）则一般无法在STM图像中表现。这一点也限制了大气环境下的一些研究工作。大气下样品表面很容易被氧化和污染，单原子层的氧化和污染就足够阻止STM探测到样品的本征性息。因此多数研究需要在真空环境下开展。其次，扫描隧道显微镜欠缺元素成分分析能力，对表面上的未知成份（如污染等），用扫描隧道显微镜很难获知其元素组成。再次，扫描隧道显微镜要求样品是能导电的导体或者半导体材料，绝缘体材料由于不能产生隧道电流因此不能用STM进行测量。这个问题在原子力显微镜（AFM）发明[6]后得到了解决。继STM之后，人们利用针尖和样品间可能存在的各类介观和微观相互作用发明了多种扫描探针显微镜(SPM)，如通过检测针尖顶端原子与样品表面原子间作用力来获得表面结构信息的AFM、检测针间与样品间磁作用力的扫描磁力显微镜(MFM)[7]等等。各类SPM能提供纳米尺度的各种丰富信息，在纳米科技中扮演了非常重要的角色[8,9]。本实验的目的是学习扫描隧道显微镜的基本原理；学会使用常温大气下的扫描隧道显微镜进行表面结构观测和表面电子态密度测量，并学会相应的数据处理方法；通过实验探讨典型金属、半金属和半导体材料电子态密度的区别。实验原理1． 扫描隧道显微镜的基本原理STM的基本原理是利用量子理论中的隧道效应[1,2]。在量子理论中，若两个电极距离足够近，即使所加电压不足以使得电子获得可跨过真空势垒的能量，电子仍然有几率隧穿到另一电极。把STM的针尖-真空-样品系统近似看成一个一维的金属-真空-金属隧道结模型如图2所示。图2. 一维的金属－真空－金属隧道结模型。图中为样品功函数，V为所加样品偏压，w是针尖和样品距离。根据量子力学，当所加偏压V远小于功函数φ时，处于费米面Ef与Ef+eV之间的样品电子能够隧穿进入针尖（样品负偏压），形成隧道电流。其隧道电流与针尖和样品的间距之间的关系可大致表示如下： (1)其中w是上图中的针尖与样品间距；k是与针尖和样品材料相关的常