半导体制程技术发展史.pptVIP

半導體製程技術發展史 ◆ 可利用10年的時間間隔，回顧半導體製程的歷史： IC以前(1950年代) IC時代(1960年代) LSI時代(1970年代) VLSI時代(1980年代) 次微米VLSI時代(1990年代) Giga bit時代(2000年以後) IC以前 (1950年代) ◆ 1950 年代是開始生產電晶體的時代。當時半導體基板材料為鍺，加工鍺的各種技術，都以量產為立足點。 ◆ 電晶體由點接觸型開始，經過合金接合型、成長接合型等，接著引進擴散技術，再轉移到矽。 ◆ 本世代的製程包括使用爐管的熱處理、去除污染、蝕刻、電鍍等等。 ◆ 在1950年代末急速進展，材料從Ge轉為Si。因此，製程技術亦從以往的Ge加工技術，變為Si加工技術，變遷到IC時代。 IC時代 (1960年代) ◆ 1960年代為IC的時代，此時起引進光微影技術(photolithography) 。使用光罩的圖案轉寫技術引進IC的製造工程。 ◆ 從製程技術面而言，本時代誕生了微影製程、平面技術的開發、表面安定化技術 。為了提昇雙極性電晶體的性能，引進磊晶層形成技術的主題。離子植入技術的原型也是在本時代提出。 ◆ 磊晶成長技術的應用是從本時代開始，此技術對於減低雙極性電晶體的集極系列的電阻，是不可或缺的，後來也應用在雙極性IC的基板。 LSI時代 (1970年代) ◆ IC的積體度增大，最早被稱