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2017-01-11 发布于北京
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(材料合成与制备技术

* 6.4 化学气相沉积 Chemical Vapor Deposition CVD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 6.4.1 CVD反应原理 CVD是借助空间气相化学反应在基材表面上沉积固态薄膜的工艺技术。 CVD方法原则上可以制备各种材料的薄膜，如单质、氧化膜、硅化物、氮化物等薄膜。涉及的反应有：分解反应、还原反应、氧化反应、化合反应、化学输运反应等 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * （1）热分解反应法例如：氢化物 SiH4 —?Si+2H2 PH3 —?P+3/2H2 B2H6 —?2B+3H2 金属碳基化合物 W(CO)6 —? W+6CO；金属卤化物 SiI4 —? Si＋2I2。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * （2）还原反应氢还原反应，例如 SiCl4+2H2 —? Si+4HCl FeCl2+H2—?Fe+2HCl 这种反应是可逆的，温度、氢与反应气体的浓度比、压力等都是很重要的参数。金属还原反应，例如 BeCl2+Zn—? Be+ZnC12。基材表面上的还原反应，例如金属卤化物被硅基片还原 WF6+3/2Si?W十3/2SiF4 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * （3）氧化反应氧化反应主要用于使基片产生出氧化物膜，如SiO2、Al2O3、TiO2、TaO5等。例如：氢化物 SiH4+O2?SiO2+2H2 卤化物 SiCl4+O2?SiO2+2Cl2 金属氧氯化合物 POCl3+3/4O2?1/2P2O5+3/2Cl2 有机金属化合物 AlR3+3／4O2?2Al2O3+R? Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * （4）化学输运反应例