失效技术试题.ppt

电子元器件失效分析技术Failure Analysis 编著：张红波 一、电子元器件失效分析技术 1.1、失效分析的基本概念 1.2、失效分析的重要意义 1.3、失效分析的一般程序 1.4、收集失效现场数据 1.5、以失效分析为目的的电测技术 1.6、无损失效分析技术 1.7、样品制备技术 1.8、显微形貌像技术 1.9、以测量电压效应为基础的失效定位技术 1.10、以测量电流效应为基础的失效定位技术 1.11、电子元器件化学成份分析技术 1.1 失效分析的基本概念 目的： 确定失效模式和失效机理，提出纠正措施，防止这种失效模式和失效机理重复出现。 失效模式：指观察到的失效现象、失效形式，如开路、短路、参数漂移、功能失效等。 失效机理：指失效的物理化学过程，如疲劳、腐蚀和过应力等。 引起开路失效的主要原因： 过电损伤、静电击穿（SEM、图示仪）、金属电迁移、金属的化学腐蚀、压焊点脱落、闩锁效应。 其中淀积Al时提高硅片的温度可以提高Al原子的晶块体积，可以改善电迁移。 典型的闩锁效应电源对地的I－V曲线 引起漏电和短路失效的主要原因： 颗粒引发短路、介质击穿、PN结微等离子击穿、Si－Al互溶 引起参数漂移的主要原因： 封装内水汽凝结、介质的离子粘污、欧姆接触退化、金属电迁移、辐射损伤 例： Pad点处无钝化层，有水汽的话，会导致短路，水汽蒸发后又恢复绝缘性，表现为工