第4章半导体存储器及其扩充讲义.ppt

 第4章 半导体存储器及其扩充 主要内容 4.1 半导体存储器概述 4.2 随机存取存储器(RAM) 4.3 只读存储器(ROM) 4.4 半导体存储器的扩展 学习目标 了解：半导体存储器的分类方法、主要性能指标及各类存储器的特点。 理解：不同种类的半导体存储器芯片的工作原理、引脚功能及典型产品的使用。 应用：掌握各种类型的存储器芯片与8086/8088微处理器的连接方法、存储器容量扩充的方法等，并能够在实践中灵活运用。 4.1.1　半导体存储器的分类 　　半导体存储器的分类方法有很多种。按制造工艺分类，可分为双极型半导体存储器和MOS型半导体存储器；按存取方式来分，可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)；按存储原理来分，可分为静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)；按信息传送方式来分，可分为并行存储器，串行存储器 ; 近年来 Intel 公司推出名为闪速存储器(FLASH memory)的新型半导体存储器 。 1、按制造工艺分类  按制造工艺分类，半导体存储器可分为双极型和MOS型两类。 （1）双极型半导体存储器 双极型半导体存储器用TTL 型晶体管逻辑电路作为基本存储电路。其特点是存取速度快，但和MOS型相比集成度低、功耗大，成本高。常用于高速的微机和大型计算机，在微机系统中常用于高速缓冲存储器(Cache)。 1、按制造工艺分类 （2）MOS 型半导体存储器 MOS 型半导体存储器的特点是制造工艺简单，集成度高、功耗低，价格便宜，但存取速度比双极型存储器要慢。MOS型存储器有多种制造工艺，包括 NMOS(N 沟道MOS)、HMOS(高密度MOS)、CMOS(互补型MOS)、CHMOS(高速MOS)等，可用来制造多种半导体存储器件。微机的内存主要由MOS型半导体存储器件构成。 2、按存取方式分类 按存取方式分类，半导体存储器可分为随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM）。其分类如图 5-2 所示。 4.1.2 半导体存储器芯片的一般结构 半导体存储器芯片的一般结构如图 4-3 所示，它由存储体、地址寄存器、地址译码器、数据寄存器、读写电路及控制电路等部分组成。随着大规模集成电路技术的发展，已将地址译码器，读写电路和存储体集成在一个芯片内部，称为存储芯片。 4.1.2 半导体存储器芯片的一般结构 4.1.3 半导体存储器的操作特点 1.随机存取存储器RAM又叫读写存储器，其操作特点为： (1) CPU对RAM中的每一单元能读出又能写入。 (2) 读/写过程先寻找存储单元的地址再读/写内容。 (3) 读/写时间与存储单元的物理地址无关。 (4) 失电后信息丢失。现已开发出带电池芯片的RAM，称为非易失性RAM(NVRAM)，做到失电后信息不丢失。 (5) 作Cache和主存用。 4.1.4 半导体存储器的主要技术指标 衡量半导体存储器的技术指标有多种，如可靠性、容量、存取速度、功耗、价格、电源种类等，其中主要的技术指标有如下4种。 1.存储容量 存储容量是存储器的一个重要指标。存储容量是指存储器芯片能存储的二进制信息量。存储器芯片容量以位(bit)为单位，所以存储器容量是指每个芯片所能存储的二进制数的位数。 4.2 随机存取存储器(RAM) RAM 存储单元是存储器的核心部分，从制造工艺上可分为两种类型：双极型 RAM 和 MOS 型 RAM。双极型RAM的特点是速度快，但集成度低，功耗大，价格高，主要用于小容量的高速存储器。MOS 型RAM 的特点是集成度高，功耗小，价格低，但速度较双极型RAM 慢，多用于大容量存储器。微机中广泛使用的是MOS型RAM。按工作方式不同，MOS 型 RAM 分为静态 RAM 与动态RAM 两类，因此存储单元电路形式多种多样。 4.2.1 静态存储器 RAM 1.静态存储单元的工作原理 静态RAM的每个存储位单元由6个MOS管构成，故静态存储电路又称为六管静态存储电路。如图4-5所示为六管静态存储位单元的原理示意图。 在此电路中，T1～T4管组成了双稳态触发器。其中T1、T2组成一个触发器，T3、T4为负载管，起电阻作用。这个电路具有两个相对的稳定状态，当Tl管截止时，A 点为高电平，它使T2管开启，于是B为低电平，双稳态触发器。 其中T 1、T 2组成一个触发器，T 3、T 4为负载管，起电阻作用。这个电路具有两个相对的稳定状态，当T l管截止时，A 点为高电平，它使T 2管开启，于是B为低电平，而B为低电平又进一步保证了T 1管的截止。这种状态在没有外触发的条件下是稳定不变的，设为逻辑 1