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班级： 无机1302 学号： 0302130207 姓名： 邓丽颖低温烧结 PZT压电陶瓷的研究摘要：本文主要介绍了PZT压电陶瓷的研究现状，分析了低温烧结的制备工艺与技术特点，指出了合成过程中影响材料性质的因素，提出了PZT压电陶瓷的研究方向与展望。关键词：PZT；压电陶瓷 ；低温烧结；合成 1 该课题研究的目的与意义在实用化压电陶瓷材料中,含铅系压电陶瓷占主导地位 ,其烧结温度大都在1200 ～ 1300 ℃.由于高温时 PbO 挥发严重 ,导致化学计量比偏离, 性能下降且污染环境.目前常用的密封烧结法、气氛片法、埋粉法、过量 PbO法等只是为了保证配方中的化学计量比不变 ,不能从根本上消除 PbO 挥发 .抑制 PbO 挥发积极而有效的方法是实现压电陶瓷材料的低温烧结 ,若能在 PbO 明显挥发前进行烧结 ,则可彻底解决这一难题.因此研究PZT材料的低温烧结有以下意义 : ①可以降低能耗 。 ②可以减少PbO的挥发 , 避免陶瓷组分的波动及偏离设计组成 , 同时也减轻了PbO挥发所带来的环境污染问题 。③若能降低PZT的烧结温度 , 则有可能采用Ag、Ni等作为内电极 , 从而大大降低器件的成本【1】。④低温烧结的深入研究可以促进烧结理论的发展。2 国内外研究现状压电陶瓷是一种能够将机械能和电能互相转换的信息功能陶瓷材料-压电效应 ,压电陶瓷除具有压电性外 ,还具有介电性、弹性等, 已被广泛应用于医学成像、声传感器、声换能器、超声马达等。随着现代电子信息技术的飞速发展 ,对于性能优异的压电陶瓷材料的开发和探索已成为各国研究的热点问题。目前,在性能改进方面主要采用 2种方法 :一种是掺杂改性, 即掺杂某种改性离子;另一种是改进制备工艺。二元系锆钛酸铅 Pb(Zrx T i1-x )O3 (简称 PZT)压电陶瓷的压电性能和温度稳定性以及居里温度等都大大优越于其他陶瓷 ,更重要的是 PZT 还可以通过改变组分或变换外界条件使其电物理性能在很大范围内进行调节, 如三元系, 四元系等 ,以适应不同需要【2】。因此很快成为国内外学者研究的主要对象。 以 PZT 为基压电陶瓷烧结温度一般都比较高 ,约为 1200 ～ 1300℃。然而, 氧化铅 (PbO)的挥发温度为 800℃左右。这样 ,在烧结过程中很容易造成氧化铅的挥发 ,不能保证烧结过程处于铅气氛中 ,势必影响陶瓷性能。针对这一点,曾有人提出在最初配料时加过量 Pb3O4【3】, 然后把样品放在密闭的坩埚内, 目的在于保证烧成处于铅的气氛中。该方法虽然保证了陶瓷的性能, 但却忽视了氧化铅是一种易挥发的有毒物质。 Ryn【4】等认为提高升温速率,可以降低氧化铅的挥发。这种方法不足之处在于:第一 , 不能完全消灭氧化铅的挥发 ;第二 ,未考虑到烧结温度对晶粒尺寸的影响。因为温度越高、晶粒尺寸越大 ,在同样的保温条件下, 过大的晶粒尺寸将会导致压电性下降。如果能够从降低烧结温度及升温时间方面进行工艺改进, 这样既能减少氧化铅的挥发,又能有效控制晶粒尺寸过分增长, 同时又节约了能源。目前 ,低温烧结方法主要有: sol-ge l、热压法、超细粉体制备及添加助熔剂法 。 JIN 等【5】将 Li2 O掺杂在 0. 2[ Pb(M g1 /3 Nb2 /3 )] -0. 8[ PbT iO3 -PbZrO3 ]中 ,目的是降低烧结温度。实验发现, 在 950℃低温下合成了性能良好的压电体, 如 Li2 O 质量分数为 0. 1%时 , d33 、k33 、kp 、 tanδ最佳值分别为 565pC /N、77. 92%、63. 7%、 0. 022。以 xPb(M g1 /3 Nb2 /3 )O3 -yPb (N i1 /3Nb2 /3 )O3 -zPb(Zr, T i)O3 为基体并适量掺杂 ZnO、Li2 CO3 、CdO等 ,所制备出的 PMN - PNN - PZT 压电陶 瓷在 900℃以下烧结仍具有良好的压电性【6`7】。使用掺杂助熔剂进行性能改进是最基础的改进方法, 如共沉淀法、溶盐法、溶胶 -凝胶法、水热法等。可是这些方法的缺点在于容易使 PbO 挥发、引起第二相、而且生产 过程困难等。为了克服这些不足 ,一些方法已被提出:如2阶段煅烧法、加入钙钛矿添加剂等。 Ananta等【8】通过采用 2步烧结法在低温条件下 (800℃和 830℃)成功制备出了高致密度、高压电性能、低介质损耗的 PMN、PFN 压电陶瓷。这种方法既减少氧化铅的挥发又不会引起第二相产生 ,而且节约能源 。 CHU 等【9】在 他的文章中 ,特别对传统的低温烧结方法进行了评价,提出了钙钛矿添加剂低温烧结法 ,并且通过实验加以验证。实验方法是:在 0. 25 Pb(N i1 /3 Nb2 /3 )O3