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可控硅整流器集约模型在静放电中的应用 Lifang Lou 摘要：本文介绍了基于SPICE仿真软件下可控硅整流器（SCR）在静放电（ESD）保护应用下的等效电路模型。这一模型包含了等效电路、可控硅整流器人体模型及其参数模型。集约模型已作为SPICE软件数据库中可控硅整流器（SCR）标准而使用。同时，也作为元件电气逆向传输参数使用。 关键词：集约模型 静放电保护 人体模型 可控硅整流器（SCR） 1 简介 静放电问题在半导体产业中备受关注。近年来，随着CMOS技术向45-nm发展，现代器件的静放电的问题更为突出。虽然可控硅整流器（SCR）安全性及其芯片的静电保护一直得以关注，但关于SCR的集约模型却很少在文献中被提及。Juliano和Rosenbaum开发出一种基于行为建模的编码来描绘可控硅整极速的模型,并为保持其延续性而构造了一个平滑的曲线。在已有模型的基础上,建立了现有设备组成的新模型,而且其额外的辅助电流和电压被设计为适当大小从而不影响其他器件工作。这些组件运用编码技术使系统的平滑型问题得以解决。Zhouet et al提出了行业标准双极晶体管模型(例如,VBIC和BSIM)用于SCR集约模型的主电路。这是一个非常好的方式,但基片中一个重要的二极管特征,放样电流路径在负面防静电的方面却被忽略了。此外，当双极组件存在深N极陷入或存在N -外延层时，模型就会出现不适用状况。 本文试图寻找一种高维持低电压触发的可控硅电路用于防静电保护的集约模型。该模型将采用标准电流组件并且不包括任何辅助部件。在此,模型的优点为较高的集成度与硬件和软件的灵活结合使模型有很高的防静电精度。这些改进组成了一个相当完整，准确的可控硅防静电装置。 第二部分将集中分析模型开发，模型实施和模型参数的提取。这将是对可控硅整流器的进一步研发，并在第三部分中用脉冲传输技术进行验证。 发展集约模型的研究 HH-LVTSCR的横截面如图1(a)所示。以图1（a）来说明集约模型的建立情况,但该方法也通常在其它可控硅描述中使用。此外,该模型还为人体模型和微集成系统做了余量,在非常严格的条件下此模型也可用于多路通向系统。图1显示的为:(一)高功率的静电特征保护装置，负表示发射极超越PNP双极结晶体管(BJT)连接到阳极。当基极开通时，集电极和发射极都表现为负。这种高功率晶闸管基本上是一个超越耦合装置,引发的雪崩在晶闸管也是一种NPN和PNP的结合。除了NPN型和PNP型 晶闸管,可控硅整理器等效电路还包含PNP型的 BJT(双极结型当可控硅整流器电路与防静电保护装置结合时，阳极呈现高阻态，阴极接地,如图2(a)所示。图2(b)是等效原理图并显示了电流流经路径。 在图一(a)横截面中,HH-LVTSCR虚线路径表示目前的负向防静电方向,(b)图为等效HH-LVTSCR电路,虚线是电流流经的路径,触发后各自在基极的防静电方向。 象可控硅这类器件结构复杂，很难用解析表达式非常完整的表达其模型，本文发展了一个宏模型。为了能完整的表达该类器件模型, NPN 型晶闸管(包括嵌入式PNP型晶闸管)、PNP型晶体管和NMOS管的VBIC模型、GP模型、BSIM3v3模型分别提出。由于NPN BJT管、包括嵌入式PNP 型晶体管的VBIC模型比其GP模型更加先进和全面而被使用。另外,对复杂的PNP 型晶体管，GP模型更难以完整描述。宏模型方案如图3所示,图中显示了器件各模块内部所有节点的连接。发展的宏模型在下文中给予说明。 基底寄生模型 如果阴极性的可控硅晶闸管是带正电并且阳极接地，而且其器件能够良好的结合在基底模块中,则通过电流连接其PN结向前偏向。并且, NPN型BJT的发射极和P阱 NPN型BJT的发射极和P阱NPN型BJT的基极集电极结点发生雪崩时，SCR将会被触发。 本摘要分析了以往所讨论的二极管,Dsub必须被整合到基底寄生模型中（如图所示）。此外,P阱, n型外延层和晶体管及一个组件都被包含在NPN型晶体管的VBIC模型中。 B、基底电阻模型 可控硅晶体管触发依赖于底层的电阻RN-Well-1 和RP-Well (见图1)。触发前一个非常小的饱和电流利用了这两种电阻的抗性,如图中虚线所示。设备被触发后相当大的电流射进n 阱阱反向偏压正向偏压二极管阱阱阱阱P阱阱n阱结点并且使宏模型的特性变得不准确 　图2(a)表示静电保护设备SCR (b)放电电流在防静电装置的正负极被截流 D、雪崩时模型 在正向偏置条件下，雪崩击穿控制可控硅的触发和传导。在传统方法中，其中有一个是以可控硅为基础的两个耦合的PNP与NPN电晶体，雪崩产生的电流并联到基极集电极结点处[n + / p-well如图