第4章材料的导电性能分析.ppt

Kamerlingh Onnes 4.2K附近，水银的电阻突然下降到无法测量的程度或者说电阻为零 超导电性 ----在一定的低温条件下材料突然失去电阻的现象。 ----材料由正常状态转变为超导状态的温度称为临界温度，并以Tc表示。 4.4 超导电性 4.4.1 超导电性的微观机理 载流子：库柏电子对(BCS) 电子—声子相互作用所产生电子对。 杂质原子和缺陷对电子对不能进行有效的散射 4.4.2 两个基本特性： 完全导电性： 把超导体做成圆环，放在磁场中，冷却到小于Tc，把外磁场突然去掉，则通过磁感应作用，沿着圆环将产生感生电流。 由于圆环的电阻为零，感生电流将永不衰竭，称为永久电流。 环内感应电流使环内的磁通保持不变，称为冻结磁通。 完全抗磁性： 处于超导状态的金属，内部磁感应强度B始终为零。 不仅外加磁场不能进入超导体内部，原来处于磁场中的正常态样品，当温度下降使其变成超导体时，也会把原来在体内的磁场完全排除出去。完全抗磁性通常称为迈斯纳效应(Meissner)。 三、超导电性 超导态的三个性能参数 温度（TC）——超导体必须冷却至某一临界温度以下才能保持其超导性。 临界电流密度（JC）——通过超导体的电流密度必须小于某一临界电流密度才能保持超导体的超导性。 临界磁场（HC）——施加给超导体的磁场必须小于某一临界磁场才能保持超导体的超导性。 以上三个参数彼此关联，其相互关系如右图所示。 4.6 半导体与pn结 导电的前提：在外界能量(如热、辐射)、价带中的电子获得能量跃迁到导带中去； 导电机制：电子与空穴。 本征半导体：纯净的无结构缺陷的半导体单晶。 本征电导：载流子由半导体晶格本身提供，是由热激发产生的，其浓度与温度呈指数关系。 导带中的电子导电和价带中的空穴导电同时存在，载流子电子和空穴的浓度是相等的。 本征半导体的导电机理 +4 +4 +4 +4 在其它力的作用下，空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。 本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 1. n型半导体 杂质对半导体的导电性能影响很大，例如，单晶硅中掺(1/10万)硼，导电能力将增大1000倍。杂质半导体可分为n型(可提供电子)和p型(会吸收电子，造成空穴)。 在四价的Si单晶中掺入五价的杂质砷，一个砷原子外层有五个电子，取代一个硅原子后，其中四个同相邻的四个硅原子形成共价键，还多出一个电子，它离导带很近，只差E1 = 0.05eV，为硅禁带宽度的5%，很容易激发到导带中去。这种“多余”电子的杂质能级称为施主能级，n型半导体。 多余 电子 磷原子 n型半导体中的载流子是什么？ 1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。 2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。 +4 +4 +5 +4 2 p型半导体 若在Si中掺入第三族元素(如B)，因其外层只有三个价电子， 这样它和硅形成共价键就少了一个电子(出现了一个空穴能级)此能级距价带很近，只差E1 = 0.045eV，价带中的电子激发到此能级上比越过整个禁带容易(1.1eV)。这种杂质能级称为受主能级，P型半导体。 II、p 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的 半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。 +4 +4 +3 +4 空穴 硼原子 P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。 4.6.2 p-n结 使p型半导体和n型半导体相接触，在它们 相接触的区域就形成了p-n结。 p-n结的整流特性 2 p-n结的伏安特性与击穿特性 p-n结的能带结构 几个问题 １. ｐ型半导体和n型半导体是电中性的吗？ 2. 两杯溶液的液位相等，浓度不相等，用连通管联通后有什么现象？ 　为什么？ 分子总是从化学势高的相进入化学势低的相， 从而降低系统的总自由能，并使系统达到平 衡态，达到平衡时将满足温度相等TA=TB和 化学势相等μA=μB。 3. 半导体的费米能的定义（化学势的概念） 　　半导体的费米能级等于系统的化学势，通常在禁带中间。 　化学势（Chemical potential ）：化学势就是吉布斯自由能对成分的偏微分，化学势又称为偏摩尔势能。 　　处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级。