l第4章存储器.pptVIP

4.2 读写存储器RAM 一、RAM的原理(主要介绍SRAM静态RAM) SRAM主要由存储体和外围电路构成如下图 1、存储体 是存储0或1信息的电路实体，它由许多存储单元组成，每个存储单元赋予一个编号，称为单元地址号。而每个单元由若干个二进制位组成，每个二进制位为一个基本存储电路。例：1K*8位存储器，容量为1024*8位，它有1024个存储单元，每个存储单元可以存储8位二进制数。  二、动态存储器DRAM 1、基本存储单元 （2）项目说明：项目需要系统地址总线20位（A0～A19）,数据总线8位（D0～D7），控制信号为RD、WD、M/I0。 ①需要存储芯片数及地址信号线的分配 ●8KB ROM需要2片2732构成。 ●地址信号线的分配 ②地址范围确定 用74LS138作片选译码器，其输入、输出信号的连接要根据存芯片的地址范围来确定。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3．项目电路原理图 项目电路原理图如图4-9所示。电路由2片EPROM2732芯片、1片74LS138译码器芯片和门电路等组成。 图4-9 电路原理图 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. AB地址总线A0~A19 DB数据总线 CB控制总线 A0~A11 A B C G2B G2A G1 Y0 Y1 Y2 Y3 Y4 Y5 Y6 Y7 20根 A0~A19 A15 A14 M/IO A13 A12 74LS138译码器 D0~D15 ? A16 8086CPU的三种总线与ROM2732详细的连线图 A18 A17 A19 OE D0 D7 ~ CS 2732(1) FC000H~FCFFFH A0 A11 ~ OE D0 D7 ~ CS 2732(2) FD000H~FDFFFH A0 A11 ~ A0~A11 D0~D7 D0~D7 RD Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 3．电可擦除可编程只读存储器EEPROM EEPROM是一种新型的ROM器件，也是近年来被广泛应用的一种可用电擦除和编程的只读存储器，其主要特点是能在应用系统中进行在线读写，并在断电情况下保存的数据信息不会丢失，它既能象RAM那样随机地进行改写，又能象ROM那样在掉电的情况下非易失地保存数据，可作为系统中可靠保存数据的存储器。其擦写次数可达1万次以上，数据可保存10年以上，使用起来比EPROM要方便的多。另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM)。EPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚；字节的编程和擦除都只需要10ms。EEPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。 Intel公司生产的28系列EEPROM是电可擦除只读存储器，即可像RAM哪样可读可写，又具有ROM在掉电后仍能长期保持所存储的数据，因此，它被广泛用作单片机的程序存储器和数据存储器。常用的EEPROM的芯片引脚和容量如表4-3所示，芯片