新·第8章唐介-精.pptVIP

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2017-01-14 发布于湖北
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新·第8章唐介-精.ppt

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（2）三极管输出特性曲线 (三)特性曲线（1）三极管输入特性曲线上一页下一页返回下一节上一节上一页下一页返回下一节上一节 (四)主要参数 (1) 电流放大系数 ?（hFE）、 ?（hfe）：同一型号的晶体管? 值有较大差别；? 值与 IC有关，一般 ? 值为 100 左右为宜。 (2) 穿透电流 ICEO : ICEO 大的晶体管其温度稳定性差。 (3) 集电极最大允许电流 ICM ： Ic = ICM 时， ? 将下降到正常值的 2／3。上一页下一页返回下一节上一节 (5) 反向击穿电压 U（BR）CEO ：基极开路时，C、E 之间允许承受的最大反向电压。 (4) 集电极最大允许耗散功率 PCM ：PCM = UCE ? IC 若超过 PCM 则晶体管易烧坏。 PCM 安全区 IC／mA UCE／V 过损耗区上一页下一页返回下一节上一节 O 图 8.5.8 功耗曲线 8.6 场效应晶体管 NMOS 管分类：结型场效应管绝缘栅型场效应管增强型（E型）耗尽型（D型） PMOS 管增强型（E型）耗尽型（D型）上一页下一页返回下一节上一节 ◆ 特点： (a) 靠一种载流子（电子或空穴）导电——单极型晶体管 (b) 场效应晶体管是由UGS 来控制 ID 的，故为电压控制元件， ID 对 UGS 的控制能力可通过跨导 gm 来表示，单位是西[门子]（s）。（一）基本结构上一页下一页返回下一节上一节图 8.6.1 场效应晶体管的结构示意图（二）工作原理（1）增强型 MOS 场效应管上一页下一页返回下一节上一节图 8.6.2 导电沟道的形成（2）耗尽型 MOS 场效应管上一页下一页返回下一节上一节（三）特性曲线上一页下一页返回下一节上一节（四）四种 MOS 场效应管的简介上一页下一页返回下一节上一节 *（五）VMOS 功率场效应管上一页下一页返回下一节上一节图 8.6.4 VMOS 管的结构示意图练习题返回下一页图8.14（a）【解】在输入信号 ui 的正半周期，二极管 D2 截止，D1的状态则取决于 ui 与 U1 的相对大小，当 ui U1 时，D1 导通，uO＝U1＝1 V；当 ui U1 时，D1 截止，uO＝ ui 。图8.14（b） 8.2.3 在图 8.14（a）（教材图 8.03）所示电路中，D1 和 D2 为理想二极管，U1 = U2 = 1 V，，试画出输出电压uo的波形。返回下一题上一题图8.15（a）【解】在 ui 的半周期时，输入信号 ui 0，二极管 D 正向导通，灯泡两端电压；图8.15（b） 8.2.4 在图8.15（a）(教材图 8.04 )所示电路中，设二极管为理想二极管，且 V 两个灯泡皆为 220 V ，40 W。(1) 画出 uO1 和 uO2 的波形；(2) 哪盏灯泡亮些？为什么？返回下一题下一页上一题上一页在 ui 的负半周期时，输入信号 ui 0 ，D 反向截止，由于两灯泡皆为 220 V，40 W，则电源电压平均分配在两灯泡上，uO1＝uO2＝（220 。波形如图 8.15（b）所示。（2）由于灯泡 EL2 在正负半周都有电流流过，所产生的热效应高，所以灯泡 EL2 比灯泡 EL1 亮一些。返回下一题上一题【解】可选用 2CZ53B（IF＝300 mA，UR＝50 V）。 8.2