3.4快离子导体导论.pptVIP

离子晶体的离子电导主要有两类： 第一类，固有离子电导（本征电导），源于晶体点阵的基本离子的运动。离子自身随着热振动离开晶格形成热缺陷。（高温下显著） 第二类，杂质电导，由固定较弱的离子运动造成的。（较低温度下杂质电导显著）? 1 总结：快离子导体的宏观特点 2 快离子导体的微观结构特点 3 根据载流子的类型，可将快离子导体分类 内层电极与大气接触，所以氧气浓度高，外层电极与排气接触，氧气浓度低。当排放的废气中所含的氧相对少，氧化锆两侧的电极所接触到的氧气高低落差大，所产生的电动势也相对高(将近1V)；当燃烧完所多余的氧气较多时，氧化锆两侧的白金层的氧气落差小，因此所产生的电动势低(将近0V)。 （1）负极燃料H2和O22- 反应在催化剂作用下反应 氧传感器工作原理 电动势的信号传送到调节系统，通过改变油量大小进 行相应的调节。 2 高温燃料电池 负极燃料：H2、甲烷、碳氢化合物、氨气 正极氧化剂：空气 电解质： 固体氧化物（高温具有传递O2-能力）， 如： Y2O3 、CaO；掺杂的ZrO2 或 CeO2 固溶体 反应过程： （3） e-在外电路形成电流 （2）正极O2（空气）和电子结合生成O2-， O2-在两 侧氧浓度差的驱动下，通过电解质中的氧空位跃 迁，到达负极 天津理工大学 3.4 快离子导体 ?Eg 价带 导带 一些离子晶体：如NaCl AgCl MgO 禁带宽度较大， 这类离子晶体常温下是绝缘的，不能导电。 但当一些条件改变时，这些离子晶体也能导电。 3.4.1 经典离子类载流子导电 载流子为离子或离子空位的电导——离子电导 1 固有电导（本征电导） 提供 载流子由晶体本身热缺陷—— 弗仑克尔缺陷 肖脱基缺陷 晶体的温度较高时，一些能量较高的的离子脱离格点形成“间隙离子”，或跑到晶体表面形成新的结点，原来的位置形成空位，从而破坏晶格的完整性，这种与温度有关的缺陷称之为晶体的热缺陷。 本征电导：由热缺陷提供载流子形成的电导 弗仑克尔缺陷：一定温度下，格点原子在平衡位置附近振动，其中某些原子能够获得较大的热运动能量，克服周围原子化学键束缚而挤入晶体原子间的空隙位置，形成间隙原子，原先所处的位置相应成为空位。这种间隙原子和空位成对出现的缺陷称为弗仑克尔缺陷。 肖特基缺陷：一定温度下、表面附近的原子A和B依靠热运动能量运动到外面新的一层格点位置上，而A和B处的空位由晶体内部原子逐次填充，从而在晶体内部形成空位，而表面则产生新原子层，结果是晶体内部产生空位但没有间隙原子，这种缺陷称为肖特基缺陷。 离子电导的微观机构:载流子(离子)的扩散 。 离子的扩散过程就构成了宏观的离子“迁移”。 离子导电性：离子类载流子电场作用下， 通过材料的长距离迁移。 本征离子电导率的一般表达式为： B1——W/k W1——本征电导活化能 缺陷形成能 E 迁移能 U N1——单位体积内离子结点数 2杂质电导 作为载流子的离子由杂质缺陷引起 O O Al O Al O mg Al O Al O V Ti TiO O V Mg MgO 4 2 2 2 2 2 .. 2 . 3 2 3 2 + + ? ? ? ? + + ? ? ? ? 新的载流子 杂质电导：由杂质提供载流子而形成的电导 N2——杂质离子浓度 杂质离子电导率的一般表达式为： B2——W/k W2——电导活化能 一般情况： （1）杂质离子浓度远小于晶格格点数N2N1 （2）杂质离子活化能小于热缺陷的活化能W1W2 （3）低温下离子晶体的电导率主要为杂质电导， 高温下本征电导会占主体。 本征电导率 杂质电导率 经典的离子晶体由于离子扩散可以形成导电。 一般来说，这些晶体的导电率要低得多， 如NaCl: 室温时, σ=10-15S·cm-1, 在200℃时, σ =10-8S·cm-1。 3.4.2 快离子导体导电 快离子导体：而另有一类离子晶体，在室温下电导率可以达到10-2 S·cm-1，几乎可与熔盐的电导相似。我们将这类具有优良离子导电能力的材料称做快离子导体或固体电解质，也有称作超离子导体。 快离子导体的电导率公式也服从： 经典晶体的活化能W在1～2ev, 快离子导体的活化能W在0.5ev以下。 快离子 导体 肖 特 基 弗仑 克尔 快离子导体不论是从电导，还是从结构上看，都可以视为普通离子固体和离子液体之间