河工大磁性材料重點个人总结.docVIP

u0：真空磁导率，H/m。H：静磁学定义H为单位点磁荷在该处所受的磁场力的大小，方向与正磁荷在该处所受磁场力方向一致。 直线电流：H=I/2πr 环形电流：H=I/2a 螺线管电流：H=nI 磁感应强度：单位面积上所通过的磁通大小叫磁通密度 ，以字母B表示，又称。、 磁矩：这种成对的N-S极所构成的磁学量称为磁矩。 磁偶：具有磁矩的磁极对称。 磁体置于外磁场中磁化强度M将发生变化（磁化）。 χ称为磁体的磁化率，是单位H在磁体内感生的M，表征磁体磁化难易程度 。X=M/H 可以根据磁体的磁化率大小和符号来分为：抗磁性、顺磁性、反铁磁性，铁磁性，亚铁磁性五种，前三种为弱磁性，后两种为强磁性 铁磁性特征： 1、铁磁性物质只要在很小的磁场作用下就能被磁化到饱和，不但磁化率?f 0，而且数值大到101~106数量级。 2、磁化强度与磁场强度之间的关系是非线性的复杂函数关系 3、反复磁化时出现磁滞现象，物质内部的原子磁矩是按区域自发平行取向的。 4、铁磁性物质内存在按磁畴分布的自发磁化。 5、铁磁性物质有一个磁性转变温度－居里温度，以Tc表示。 6、铁磁性物质在磁化过程中，表现出磁晶各向异性、磁致伸缩和具有静磁能量现象。 证明：：磁畴的磁化方向在过渡区逐渐改变方向。磁畴壁：相邻磁畴界限，它是一个过渡区。 若原子磁矩突然转向，则交换能变化。 若在n个等间距的原子面间逐渐均匀转向，则交换能 当 足够小时， 此时相邻原子面间交换能变化 在n的等间距的原子面间逐渐均匀转向，交换能的总变化 问题：用磁畴壁移动理论解释磁化曲线？ O点对应消磁状态，磁性材料经熔化、铸造等凝固或经加工之后，材料中的磁畴随机取向，彼此的自发磁化强度Msi之和为0，即 外加磁场时,磁化强度M(或磁感应强度B)将沿O→A→B→C→D的曲线－初始磁化曲线。OA对应可逆磁化区，外加磁场使各磁畴最初的Ms发生转向，导致畴壁移动。 在消磁状态，畴壁各处受内应力等障碍物的钉扎作用，畴壁难以运动;施加磁场，畴壁将按图中(i)所示的方式，试图克服钉扎作用而移动，但由于磁场较弱，畴壁不足以脱离障碍物的钉扎，当外部磁场取消后，畴壁即返回到消磁状态。此范围即为可逆畴壁移动区域。 区域AC为不连续畴壁移动或不可逆磁化区域。随着磁化进一步增强，钉扎作用足以抵抗外加磁场的作用，畴壁将从障碍物的钉扎作用下撕脱出来，发生雪崩式的移动，如图 (iii)所示。 畴壁移动是突然和不连续的，从而磁化也是不连续的。 若通过电气放大作用进行探测，则会发现不规则噪声，称此为巴克豪森效应(或Barkhausen噪声)。在此之后，进入旋转磁化区域，进而达到饱和磁化强度Ms。 从饱和磁化强度Ms处，减小外加磁场，曲线将从d变到e，即当H=0，外加磁场强度为零时，磁化强度Mr(=Br)并不等于零，称Mr为剩余磁化强度 外加反向磁场并使其逐渐增加，得到如图中第二象限退磁曲线所示，M-H，B-H曲线逐渐达到f点，即磁化强度及磁感应强度达到零。称此时对应的磁场强度为矫顽力Hc(又称抗磁力、保磁力) 矫顽力有BHc，MHc之分，前者称为磁感矫顽力，后者称为内禀矫顽力。 M－H与B－H曲线 M-H曲线或B-H曲线的全部即为磁滞回线(hysteresis loop)，又称履历曲线。 磁晶各向异性：磁学特性随材料的晶体学方向不同而异。 磁畴：铁磁体由于交换相互作用(铁磁性)、超交换相互作用(亚铁磁性)，致使原子磁矩呈平行或反平行排列，这样就可能残留称为自发磁化强度的有效磁化成分(磁畴的成因)，其三维区域称为磁畴，实际的磁畴都具有一定的几何大小，彼此为自发磁化强度的大小和方向相异的区域，磁畴之间由畴壁相隔。 磁畴与磁畴之间的边界称为磁畴壁，畴壁中磁化强度的方 向逐渐变化，最终转变到相反的方向。畴壁的基本类型包括3种 第一种：Bloch（布洛赫）畴壁多见于块体状磁性体中，磁 化强度在厚度方向上像竹帘打捻一样实现反转； 第二种：薄膜中常见的Néel（奈耳(尔)）畴壁，磁化强度在薄面上发生旋转，最终实现反转。 第三种：随着薄膜逐渐变厚，出现兼有 Bloch畴壁与Neel畴壁特性的第三类畴壁，一般称这种畴壁为枕木状畴壁。 反铁磁性物质有下列主要特征： 1)反铁磁性物质存在一相变温度，叫做奈耳温度，以TN表示。 当TTN时，反铁磁性物质表现出与顺磁性类似的行为； 当TTN时，其磁化率反而随温度下降而减小； 在T=TN时，其磁化率为极大值。 2)反铁磁性物质的原子磁矩呈有序性排列。 磁化率χ与1相比表现非常小的正数的这类物质所具有的磁性为顺磁性。 反磁性是指物质中原子磁矩方向与磁场方向相反，磁化率为负值，其绝对值很小。