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填空题： 1.电力电子器件一般工作在 开关 状态。 2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 通态损耗 ，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 开关损耗 。 3.电力电子器件组成的系统，一般由 控制电路 、 驱动电路 、 主电路 三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 检测与保护电路 。 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 单极性 、 双极性 、 复合型 三类。 5.电力二极管的工作特性可概括为 单向导电性 。 6.电力二极管的主要类型有 整流二极管 、 快恢复二极管 、 肖特基二极管 。 8.晶闸管的基本工作特性可概括为 门极端 正向触发则导通、 阳极与阴极端的强电压 反向则截止。 9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL 大于 IH 。 10.晶闸管断态不重复电压UDRM与转折电压Ubo数值大小上应为UDRM 小于 Ubo。 11.逆导晶闸管是将 二极管 与晶闸管 反并联 （如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。 13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 击穿 。14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 截止区 、前者的饱和区对应后者的 放大区 、前者的非饱和区对应后者的 饱和区 。 15.电力MOSFET的通态电阻具有 正 温度系数。 16.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而 降低 ，开关速度 低于 电力MOSFET 。 18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 电流控制型 和 电压控制型 两类。 19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是 缓慢衰减 。 20.GTR的驱动电路中抗饱和电路的主要作用是 加快关断速度 。 25.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是 Power Diode ，属于半控型器件的是 SCR ，属于全控型器件的是 GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT ；属于单极型电力电子器件的有 电力MOSFET ，属于双极型器件的有 Power Diode、SCR、GTO、GTR ，属于复合型电力电子器件的有 IGBT ；在可控的器件中，容量最大的是 GTO ，工作频率最高的是 电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT ，属于电流驱动的是 SCR、GTO、GTR 。 2.阻感负载的特点是 流过电感的电流不能发生突变 ，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是 0°～180° ，其承受的最大正反向电压均为，续流二极管承受的最大反向电压为（设U2为相电压有效值）。 3.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为 0°～180° ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和；带阻感负载时，α角移相范围为 0°～90° ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为和；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个 平波电抗器 。 4.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角d时，晶闸管的导通角q = π-d-α ； 当控制角α小于不导电角d时，晶闸管的导通角q = π-2d 。 6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFM等于，晶闸管控制角α的最大移相范围是 150° ，使负载电流连续的条件为 α≤30° (U2为相电压有效值)。 7.三相半波可控整流电路中三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差 120° ，当它带阻感负载时，a的移相范围为 0°～90° 。 8.三相桥式全控整流电路带电阻负载工作中，共阴极组中处于通态的晶闸管对应的是 最高 的相电压，而共阳极组中处于导通的晶闸管对应的是 最低 的相电压；这种电路α角的移相范围是 0°～120° ，ud波形连续的条件是 α≤60° 。 9.对于三相半波可控整流电路，考虑换相重迭角的影响，将会使得输出电压平均值Ud 减小 。 15.多重化整流电路可以提高 功率因数 ，其中移相多重联结有 并联多重联结 和 串联多重联结 两大类。 16.逆变电路中，当交流侧和电网连结时，这种电路称为 有源逆变 ，欲实现有源逆变，只能采用 全控整流 电路 ，当控制角 0α π /2 时，电路工作在 整流 状态；π/2 α π 时，电路工作在 逆变 状态。 17.在整流电路中，能够实现有源逆变的有 单相全控桥 、 三相全控桥 等