模拟电子技术基础第9讲场效应管及其放大电路分析.ppt

* 与晶体管类比，自学场效应管的主要参数。 * 与共射放大电路类比。 * 与共集放大电路相类比。 * 讨论清楚复合管的组成原则。 * 加深等效变换的概念。 第九讲 场效应管及其放大电路 一、场效应管 二、场效应管放大电路静态工作点的设置方法 三、场效应管放大电路的动态分析 四、复合管 晶体管是一种电流控制元件(iB~ iC)，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。 场效应管（Field Effect Transistor简称FET）是一种电压控制器件(uGS~ iD) ，只有一种载流子参与导电，因此它是单极型器件。 FET因其制造工艺简单，功耗小，温度特性好，输入电阻极高等优点，得到了广泛应用。 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET分类： 绝缘栅场效应管 结型场效应管 一、场效应管（以N沟道为例） 场效应管有三个极：源极（s）、栅极（g）、漏极（d），对应于晶体管的e、b、c；有三个工作区域：截止区、恒流区、可变电阻区，对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 （一）. 结型场效应管 导电沟道 源极 栅极 漏极 符号 结构示意图 栅极正向偏置时电流方向 绝缘栅型场效应管 ( Metal Oxide Semiconductor FET)，简称MOSFET。分