核磁共42课件.pptVIP

* * 一. 概况 I=1/2 m=+1/2 E= -μH0 μ=γ I Ho= m=-1/2 E= +μH0 Ⅰ Ⅱ h 2? 2? vo γ (Ⅰ) (Ⅱ) ΔE=2hvoI (Ⅲ) I=1/2 ΔE = hvo (Ⅳ) V射= Vo=ΔE = hvo (Ⅴ) V射= Vo= (Ⅵ) 2? γHo 固定磁场扫频；固定辐射频率扫场。 第七章 核磁共振（NMR） 二. 核磁共振基本原理及核磁共振仪 三. 屏蔽效应和化学位移 1. 屏蔽效应 (shielding effect) 核外电子在外磁场作用下绕核环流，产生 感应磁场。处于高电子密度区域的核，感 受到较外加磁场弱的磁场，必须用较高的 外加场使之发生共振。 H=Ho+H感应 屏蔽作用使氢核的共振吸收移向高场。 核磁共振仪的主要组成部分： 1. 磁铁 2. 探头 3.锁场单元 4. 匀场单元 5. 样品旋转管 1H氢谱(PMR)提供的结构信息： 化学位移、峰的裂分情况与偶合常数、峰面积(积分曲线) 2. 化学位移 不同化学环境中的氢核，受到的屏蔽或去屏蔽作用不同，它 们的共振吸收出现在不同磁场强度下。表示：?/ppm。 ? = —————— ? 106 = ———— ? 106 V样品-V标准 V仪器 ΔV V仪器 标准物: 四甲基硅烷 (CH3)4 Si， TMS ?=0（单峰） CHCl3： ? = —————— ? 106 = 7.28 ppm 60MHZ 437Hz 处于低电子密度区域的核，使共振发生在较低场。 H=Ho-H感应 去屏蔽效应使氢核的共振吸收移向低场。 （? 增大） （? 减小） ?H/ppm ?值小，屏蔽作用大； ?值大，屏蔽作用小； 四. 影响化学位移的主要因素 1. 诱导效应的影响 电负性大的原子（或基团）与 1H邻接时，其吸电子作用使氢 核周围电子云密度降低，屏蔽作用减少，共振吸收在较低场， 即质子的化学位移向低场移动，?值增大；相反，给电子基团 则增加了氢核周围的电子云密度，使屏蔽效应增加，共振吸 收在较高场，即质子的化学位移向高场移动，?值减小。 2. 芳环的磁各向异性效应 苯环平面上下方：屏蔽区，侧面：去屏蔽区。?H = 7.26 18-轮烯： ?内氢= -1.9 ppm ?外氢= 8.2 ppm 3. 氢键的影响 具有氢键的质子其化学位移比无氢键的质子大。氢键的形成 降低了核外电子云密度。 随样品浓度的增加，羟基氢信号移向低场。 分子内氢键，其化学位移变化与溶液浓度无关，取决于分子 本身结构。 高温使OH、NH、SH等氢键程度降低，信号的共振位置移向 较高场。 ? 识别活泼氢可采用重水交换。 ? 活泼氢的?值与样品的浓度、温度及所用溶剂的化学性质有关。 五. 偶合常数 1. 自旋-自旋偶合与自旋-自旋裂分 自旋核与自旋核之间的相互作用。自旋-自旋偶合引起的谱 带增多的现象。 n+1 规则 2.偶合常数(J) 自旋-自旋偶合裂分后，两峰之间的距离，即两峰的频率差： ? Va- Vb? 。 单位:HZ 偶合常数与化学键性质有关，与外加磁场强度无关。数值依 赖于偶合氢原子的结构关系。 六. 积分曲线与峰面积 有几组峰，则表示样品中有几种不同类型的质子； 每一组峰的强度(面积)，与质