《折射率椭圆.docVIP

实验二 ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~主笔 实验二 电光调制实验 实验目的： 了解熟悉电光效应(Electro-Optical Effect)。 实验内容： KDP光调制(EOM)组基本特性的测量 EOM对频率的响应 实验原理： 电光效应(electro-optic effect)早在年就由普克尔(Pockels)发现，所以又称普克尔效应，它是由电场的一次项所引起的折射率变化而产生，是一线性的电光效应，其时间响应可达飞秒量级。基本上，此效应是将电场加在晶体上，改变其介电张量(dielectric tensor)，因而使通过此晶体的光极化方向被调整，再利用极化器(polarizer)及分析器(analyzer) ，使极化之调变转换成光振幅之调变，因此调变正比于外加电场。 普克尔效应只发生在光学性质是各向异性(anisotropic)的晶体中，也就是不具中心对称的晶体才有此效应，例如：砷化镓(GaAs)、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)、锌化锑(ZnTe)等，而硅(Si)则无此效应。 由于普克尔效应的反应速度极快，因此与超快雷射结合后，亦可作高频电子电路的量测，可利用半导体基底(substrate)本身的普克尔效应.，或是利用电光晶体，作成一针头的形状靠近待测电路，来侦测电路上的电场。利用此效应的优点是量测的位置较有弹性，甚至集成电路的表面有保护层(passivation)时，亦可做量测，缺点则是灵敏度较差，因此，侦测出之信号噪声较大。对一些特定的集成电路，如：天线即主动组件等，其电场方向之量测亦很重要，利用普克尔效应也可做到。 实验器材: He-Ne laser Polarizer (P1, P2) Pockels cell (内为KDP晶体) 高压电源供应器 光度计 光具座 示波器 波形产生器 信号放大器 (OP amp) 实验步骤： KDP光调制(EOM)组，基本特性的测量： (1)实验装置图： 图2.1 电光调制实验装置图 (2)依照图2.1的次序，将各光学组件与电路安装完成，且完成光学路径的准直工作。 (3)将Polarizer P2及Pockels cell自支架上移走，旋转Polarizer P1使光感知器读值为最大，此时雷射偏振方线与P1相同。 (4)将P2放入后，旋转P2直到光度计读值最小。 (5)将Pockels cell放入，旋转cell直到光度计读值最小，此时改变输入电压V，并不会改变光度计读值，故可以确定Pockels cell中KDP晶体的光轴与入射光偏振面平行或垂直。 (6)纪录Pockels cell旋转台上的角度后，在顺时针转Pockels cell 450。 (7)由零伏特开始增加输入电压，每10伏特记录光度计读值一次，直到输入电压为400伏特为止。 (8)缓慢的将电压归零，反转输入电压，由零伏特开始下降，每下降10伏特记录光度计读值一次，直到输入电压为-400伏特为止。 (9)将上述数据，绘成T-V的影响曲线。并由图上求得1.Vλ/2 2.V0工作点电压。(Vλ/2 与 V0 参见底下注意事项说明) (10) 估算Pockels cell中KDP晶体的几何结构与尺寸，稍后利用公式推出KDP晶体电光系数值r6z。(参见底下注意事项说明) (11)在（5）的步骤后，架上补偿器，并旋转补偿器，使改变补偿器内部晶体厚度，并不会改变光度计的读值时，将Pockels cell与补偿器都旋转45°，再重复（7）和（8）的步骤。可以发现补偿器可以提供相位，将整个正弦函数图形平移，让输入电压为零时的光读计读值亦为零。 (12) 将直流电压输入改为放大器以及信号产生器，利用补偿器将工作点调为200V，观察各种输入波形所产生的频率响应，和输出信号延迟，并记录输入频率及示波器上的输出电压差。 EOM对频率的响应： 由讯号产生器输出正弦波(sine wave)，经过信号放大器(op amp)放大50倍（电压足以驱动EOM），调整补偿器的光轴与厚度使工作点恰落于线性范围中心。频率每增加10Hz，记录输出的强度，作频率对强度图。 数据分析及讨论 数据： 光强度随电压之电光调制特性： 输入电压 光强度 输入电压 光强度 输入电压 光强度 输入电压 光强度 0 26 210 114 -10 30 -210 8.4 10 32 220 115 -20 25 -220 10 20 35 230 114 -30 22 -230 14 30 41 240 115 -40 18 -240 17 40 46 250 114 -5