soc工艺课件ch光刻技术.ppt

10.5.1电子束光刻 电子束光刻是采用电子束光刻机进行的光刻，有两种方式：一是在一台设备中既发生图形又进行光刻，就是直写光刻（不用光刻板的光刻）；另一种是两个系统，制版和光刻分别进行。 电子束光刻已应用于制造高精度掩模版、移相掩膜版和x射线掩模版。 10.5.1电子束光刻 电子抗蚀剂对10-30kV的电子束灵敏，有正性抗蚀剂，负性抗蚀剂。常用的正性抗蚀剂有PMMA（聚甲基丙烯酸甲酯）胶，分辨率可达10nm。EBR-9（丙烯酸盐基类），灵敏度比PMMA高10倍，最小分辨率只有0.2μm。 10.5.1电子束光刻 电子束的散射有前向散射和背散射，背散射角大，是造成邻近效应的主要原因 10.5.2X射线光刻 以高强度的电子束轰击金属靶材，使其发射X射线，X射线作为曝光光源，λ在 0.2-4nm。 掩膜版：为了X-射线能够透过，掩膜版很薄，对X射线透明的Si、SiN、BN和聚酯薄膜为基片在上面淀积金薄膜，以此作为空白版，金膜能吸收X射线，以电子束制版方法制备掩膜版版。 影响分辨率的不是衍射，而是半阴影和几何畸变 10.5.2X射线光刻 10.5.2X射线光刻 在电子抗蚀剂中加入铯、铊等，能增加抗蚀剂对X-射线的吸收能力，可以使之作为X-射线抗蚀剂。如PMMA 。 10.5.2X射线光刻 同步辐射x射线源，是利用高能电子束在磁场中沿曲线轨道运动时发出的。 同步辐射方向性强，准直性好，可以近似看作平行光源。光源的线度尺寸约为1mm，所以半阴影效应和几何畸变可以忽略。 同步辐射x射线光学系统 10.5.3离子束光刻 离子束注入，是利用元素离子本身所具有的化学性质--掺杂效应，通过将高能杂质离子注入到半导体晶体表面，以改变晶体表面的化学性质和物理性质；另一方面则可以利用离子本身具有的能量来实现各种工艺目的。按照离子能量的不同，工艺目的也不同，如离子能量在10keV以下时，离子束常被用来作为离子束刻蚀和离子束外延；当能量在几十至70keV时，则被用作离子束曝光。 10.5.3离子束光刻 聚焦离子束系统截面示意图 10.5.4新技术展望 1、浸入式光刻技术 45, 32, 22 nm Technology nodes 譬如用水替代空气 全氟聚烷基醚油 10.5.4 新技术展望 提高193nm ArF浸入式光刻机NA的方案 NA 解决方案 1.37 水+平面镜头+石英光学材料 1.42 第二代浸入液+平面镜头+光学石英材料 1.55 第二代浸入液+弯曲主镜头+光学石英材料 1.65 第三代浸入液+新光学镜头材料+新光刻胶 1.75 第三代浸入液+新光学镜头材料+半场尺寸 1、浸入式光刻技术 10.5.4 新技术展望 2、纳米压印光刻 现有的主流纳米压印光刻 10.5.4 新技术展望 3、极紫外光刻（EUV） 极紫外光刻原理图 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 10.5.4 新技术展望 4、无掩模光刻(ML2) 光学无掩模光刻示意图 带电粒子无掩模光刻示意图 10.6光刻设备 从平面工艺诞生以来，光刻设备可以分为五代。每一代又以那个时期获得CD和分辨率所需的设备类型为代表。这五个精细光刻时代的代表是： 接触式光刻机； 接近式光刻机； 扫描投影光刻机； 分步重复投影光刻机； 步进扫描光刻机。 10.6.1接触式光刻机 接触式光刻机系统 10.6.2 接近式光刻机 接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射 10.6.3扫描投影光刻机 扫描投影光刻机 10.6.4分步重复投影光刻机 步进光刻机的曝光场 10.6.5步进扫描投影光刻机 步进扫描光刻机的曝光场 10.6.6光刻设备的发展趋势 1、光刻设备加工硅片大尺寸化、单片化、高精度化和全自动化 2、设备制造商垄断化 3、设备高价格化 4、设备研制联合化 本章重点 光刻掩模板的制造 光刻胶 光学分辨率增强技术 紫外光曝光技术 其它曝光技术 光刻设备 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 10.1.5光刻制版面临的挑战 传统光学光刻及制版技术面临的挑战： 如何精确控制光掩膜图形的对准表现、光掩膜图形得尺寸表现和光掩膜的缺陷表现； 如何制造带有衍射辅助成像亚分辨率图形得光掩膜，完成写入、检测等一系列操作。 掩模制造设备面临的挑战