第11章MOSFET概念深入分析.ppt

* * 正常工作条件下，寄生npn管发射结零偏，不能导通，对MOSFET的工作没有影响；发生上述作用后，寄生npn管发射结正偏，有可能导通，对MOSFET的工作有影响。 * 正常工作条件下，寄生npn管发射结零偏，不能导通，对MOSFET的工作没有影响；发生上述作用后，寄生npn管发射结正偏，有可能导通，对MOSFET的工作有影响。 * 低掺杂漏区（Low Doping Drain）结构， * 在正栅压下的附加氧化层电荷可能会使增强型MOSFET变成耗尽型MOSFET。// * * 书上把亚阈值电流错写为阈值电流。 * * 此电子能量高于热平衡能量（如达到1.5eV，而热平衡能量为0.026eV左右），故称为热电子。电子比空穴更容易“热”。//LDD结构可以抑制热电子的产生。 * * * 在前面推导MOSFET特性时所作的假设就是忽略了若干非理想效应。N沟道MOSFET表面呈现轻掺杂n型材料的特性。 * * * L是设计沟道长度，L’是有效沟道长度。这就导致饱和区不饱和现象。注意L越小，则 * ID’为实际漏电流，ID为理想漏电流（即按照简单模型推导出的漏电流）。 * 假定Na为均匀掺杂，故与x无关。 * ΔL的相对值是指相对于L的值。 * 表面散射包括表面电荷散射和表面不平整散射。垂直电场不仅来自栅压，而且来自氧化层中的正电荷。 * 体迁移率与VGS无关，表面迁移率与VGS有关。 * 这里给出的数据仅供参考。 * * * 提前饱和意味着无需夹断即可饱和。这是容易理解的，沟道夹断前，因E≥EC区v=vsl→ID不受VDS控制（在该区间的Qn(y)主要受VGS控制），根据电流连续性定理，沟道电流应处处相等，故会沟道处处电流达到饱和。//对于低场情况，饱和区电流与栅压的平方成正比，跨导及截止频率与栅压成正比。// * * 从MOSFET诞生以来，其沟道长度已从几十微米缩小到0.1微米。 * 电压不能以与尺寸同样的比例缩小的原因：某些本征的器件电压（如硅的禁带宽度、内建结电势）是材料参数，不能缩小；阈值电压太低会使器件难以完全关断，这在阈值电压工艺偏差较大时尤为严重，甚至在同一芯片上也是如此。//实际情况是，当工艺尺寸从0.5um下降到0.1um时，最大电源电压只从5V下降到1.5V。//书上将第三种方式叫做全部按比例缩小，可能为翻译错误。 * K是小于1的缩小因子，通常对于规定工艺，k=0.7。//在MOSFET的宽度和长度按比例缩小之后，互连线的长度与宽度也要按同样比例缩小。// 最下方的公式是要说明，阈值电压无法按比例缩小，但事实上小尺寸器件的VT与L、W均有关，下一节对此有分析。 * 带’的是缩小过的参数，不带的是缩小前的参数。 * * 前面的推导，阈值电压与W、L无关，在短沟道或者窄沟道的情形下，是有关的。 * * 还有一个假定是n+p结的横行扩散结深＝纵向扩散结深，这对于扩散结是很合理的近似，对离子注入结则不是那么准确。 * 勾股定理列式，解一元二次方程。 * * 边缘有两个1/4圆柱体需要考虑。 * * * 注意，阈值电压与半导体表面净掺杂浓度成正比。 * * * 由于MOSFET的高输入阻抗，因摩擦或感应在栅极上形成的静电电荷无法释放，积累之后就会造成栅的击穿。 * 完全按比例缩小(Full Scaling) 尺寸与电压按同样比例缩小； 电场强度保持不变； 最为理想，但难以实现； 11.2 按比例缩小 缩小方式 恒压按比例缩小(Fixed Voltage Scaling) 尺寸按比例缩小，电压保持不变； 电场强度随尺寸的缩小而增加，强场效应加重； 一般化按比例缩小(General Scaling) 尺寸和电场按不同的比例因子缩小； 迄今为止的实际做法； * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:规则 * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:结果 * 11.2 按比例缩小 完全按比例缩小:小结 * 11.3 阈值电压修正 VT与L、W的相关性 漏、源区扩散结深rj 表面空间电荷区厚度xdT n沟道MOSFET 短沟道 长沟道 n沟道MOSFET 窄沟道 宽沟道 * 11.3 阈值电压修正VT随L的变化:表面空间电荷 短沟道效应 * 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:ΔL的计算 源-体结空间电荷区宽度 表面空间电荷区宽度 漏-体结空间电荷区宽度 源、漏pn结结深 * 若沟道长度L短到与漏-源结深rj相当时，阈值电压VT与沟道长度L有关，此时VT随L的减少而减少 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:ΔVT的计算 * 11.3 阈值电压修正 VT随L的变化:关系曲线 VDS0 VBS0 * 11.3 阈值电压修正