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選修课光敏电子元器件创新实验报告.docVIP

選修课光敏电子元器件创新实验报告.doc

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選修课光敏电子元器件创新实验报告

物理创新实验 实验报告 姓名: 班级:装备08—1班 学号:0864134104 联系电话实验地点:第二实验楼B503 实验时间:2010.4月 光敏电子元件创新实验报告 实验一 光敏电阻实验 一 实验目的: 了解光敏电阻的光照特性和伏安特性及应用 二 实验原理: 在光线作用下,电子吸收光子的能量从键合状态过渡到自由状态,引起电导率的变化,称为光电导效应。光电导效应是半导体材料的一种体效应。光照愈强,器件自身的电阻愈小,称光敏电阻。光敏电阻无极性,其工作特性与光强波长和外电压有关。实质为开关的性质。 三 实验仪器CY-998试验仪,电流源模板,光电实验模板,光敏电阻,发光二极管,导线,光度计等。 四 实验步骤: 1·亮电阻和暗电阻的测量 光敏电阻实验原理图 合上实验仪主电源开关。调节光电实验模板,可调电压为10V,再调电流源,输出电流为2.08mA经10秒钟左右,读取试验仪电流表和电压表值为亮点流I亮和U测。 拆去光源的其中一根导线,10秒钟左右,读取试验仪电流表和电压表值为亮点流I暗和U测。 根据欧姆定律计算电阻:R亮=U测/I亮 R暗=U测/I暗 2.光照特性测量 电路图同1中的(图3-1).试验电压表为20V挡,电流表为20mA档。 光敏电阻的测量电压为定值时(10V)光敏电阻的光电流随光照度变化而变化。调节光源电流得到不同的光照度。读取试验仪上电流表现实的光电流值。并记录做光敏电阻光照特性实验曲线 曲线图。 (数据处理另附) 3. 伏安特性测量 在一定照度下,光电流随外加电压的变化而变化。测量时,再给定光照度时,调节光敏电阻的输入电压,读取实验以上电流表显示的光敏电阻上的电流值。记录并作出不同照度的三条伏安特性曲线 (数据处理另附) 实验二 光敏二、三极管的特性实验 一 实验目的: 了解光敏二、三极管工作原理及光生伏特效应 二 基本原理: 光入射光子在本征半导体的p-n结及其附近产生电子空穴对时,光生载流子受势垒区电作用,电子漂移到n区。空穴漂移到p区。电子和空穴分别在n区和p区积累,两端便产生电动势。称为光生伏特效应。简称光伏效应。光敏二级管基于此原理,如在外电路中把p-n短路接。就产生反应的短路电源。光照时反向电流增加,并且光电流和照度呈线性关系。 光敏电流放大作用,只是它的集电极电流不只是受基极电路和电流控制,同时也受光辐射的控制。,用于温度补偿和附加控制等作用。 a 电流源模板:+15,-15, ┻分别与CSY-998试验仪显示面板的低频振荡器单元中右下角的+15,-15, ┻相连;+6V,┻分别与试验仪显示面板左直流稳压电源V+,┻相连;并且将直流稳压电源的转换开关切换到±6V档. b.光电实验模板:+15V、 ┻分别于电流源模板的+15V、┻相连。 c.其他线路按图连接线路。 2 合上试验仪主电源开关,按记录数据调节电流源模板电流值时。测量得到的开路电压、短路电流。并记录处理作图。 (表格与记录数据处理另附) 实验四 单色光对光敏电阻、硅光电池的特性探究 一 实验目的; L了解单色光对光敏电阻、硅光电池。光生特性的探究产生电压的变化。 二 实验原理:【同实验三】 三 实验仪器 实验仪器CY-998试验仪,电流源模板,光电实验模板,硅光电池,实验仪器CY-998试验仪,电流源模板,光电实验模板,硅光电池,不同颜色的发光二极管,光敏电阻,导线,光度计等。 四 实验步骤: 1安装电路参照【实验三】电路图连接 2按照【实验三】的方法进行其他测量与记录。 3(表格与记录数据处理另附) 实验操作说明 在做做实验中由于提供光源的发光二极管的规格并不标准,并且光照的辐射面也不均匀,使得光照度浮动较大,为了使实验数据更接近实际,我们没有以电流源的数值定光度。每一组光照度均为实测数据,所以没有利用参考资料中给的电流值为依据。且光照度与距光源的距离有关系。 在进行单色光实验时,由于仪器不全难以进行。只进行了单色光的定性试验。 特此说明 光敏电阻亮。暗电阻的测量 数据处理 U测 V I测 R 亮电阻 9.7 0.64mA 15.2 KΩ 暗电阻 10.00 0.00uA ﹢∞ Ω 光电流与光度(I——LX)曲线图与数据表格 光源电流 (mA) 光照度 (Lx) 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 光电流 (mA) 0 0.21 0.31 0.38 0.45 0.51 0.57 0.62 0.67 0.72 0.76 修正测量 0 0.10 0.17

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