2.2第二讲半导体光源的工作特性及对通信的影响解读.ppt

第二讲 半导体光源的结构与工作特性 ？LED与LD的比较（原理，结构，工作特性，在通信中的应用） 一、半导体发光二极管(LED) Light Emitting Diode 结构： 面发光、边发光 工作特性： 光谱特性、 P-I特性、发光效率、调制特性等 1. 发光二极管的结构 实际中多采用异质结 根据发光面与PN结的结平面平行或垂直可分为面发光二极管（SLED）和边发光二极管（ELED）两种结构 面发光二极管（SLED） 面发光： 从结区边缘发光。 特点：发散角，耦合效率，调制带宽均比SLED有改善。 2. 工作特性 光谱特性 P-I特性 发光效率 调制特性 光谱特性 P-I特性 P-I特性描述了输出的光功率随注入电流的变化关系 当注入电流较小时，线性度非常好； 当注入电流比较大时，由于PN结的发热，发光效率降低，出现了饱和现象。 温度对P—I特性的影响，当温度升高时，同一电流下的发射功率要降低 发光效率 分为内量子效率和外量子效率 内量子效率：（存在非辐射复合） 外量子效率：（材料吸收、波导效应等） 调制特性 改变发光二极管的注入电流就可以改变其输出光功率，即可以直接由信号电流来调制光信号——直接调制或内调制 发光二极管的模拟调制原理图 发光二极管的数字调制原理图 发光二极管的频率响应 PN结存在结电容及杂散电容，发光二极管的调制特性随着调制的频率提高而变化。频率响应可表示为 t为载流子的寿命 随着调制频率的提高，输出光功率下降。 要提高截止频率fc=1/(2pt)以增加调制带宽，要缩短载流子的寿命，可以通过有源区重掺杂以及高注入等方法来改进。 发光二极管的频率响应 二、半导体激光二极管（LD） Laser Diode 半导体激光器工作原理 结构： 谐振腔，条形结构 工作特性： 光谱特性、P-I特性、调制特性等 1. 激光器的工作原理 激光器的三个基本条件： （1）工作物质 （2）泵浦源 （3）光学谐振腔（与LED的区别） 产生激光还必须满足阈值条件及相位条件 阈值条件（临界条件） 存在工作物质的吸收、介质不均匀引起的散射、反射镜的非理想性引起的透射及散射等损耗情况，只有光在谐振腔内往复一次的放大增益大于各种损耗引起的衰减，激光器才能建立起稳定的激光输出，其阈值条件（临界条件）为 相位条件 谐振腔中，光波是在两块反射镜之间往复传播的，只有在满足特定相位关系的光波才能得到彼此加强，这种条件称为相位条件，有 q=1，2，… 激光器中振荡光频率只能取某些分立值，不同q的一系列取值对应于沿谐振腔轴向一系列不同的电磁场分布状态，一种分布就是一个激光器的纵模。 2. 激光二极管的结构 也采用双异质结结构。 纵向的两个端面是晶体的解理面，相互平行且垂直于结平面，一个端面镀反射膜，另一个端面输出，构成了激光器的FP谐振腔。 采用条形结构，在垂直于结平面方向受到限制，在平行于结平面的水平方向也有波导效应，使光子及载流子局限在一个较窄及较薄的条形区域内，提高光子及载流子浓度。称为条形激光器，与光纤耦合效率较高。 两种结构：增益导引条形和折射率导引条形。 3. 工作特性 P-I特性 光谱特性 发光效率 调制特性 P-I特性 存在阈值电流Ith：当注入电流小于Ith时，自发辐射发光；当注入电流超过Ith时，受激辐射发光；输出功率与注入电流基本保持线性关系。 对温度很敏感：随着温度的升高，阈值电流增大，发光功率降低。需进行温度控制。有 光谱特性 主要由其纵模决定 峰值波长 谱宽：功率等于大于峰值波长功率50%的所有波长范围 线宽：某一纵模中功率等于大于最大功率一半的所有波长范围 边模抑制比(SMSR)：主模功率与最强边模功率之比 (Side Mode Suppression Ratio) 半导体激光器的发光谱线较为复杂，会随着工作条件的变化而发生变化。 当注入电流低于阈值电流时，激光器发出的是荧光，光谱较宽；当电流增大到阈值电流时，光谱突然变窄，强度增强，出现激光；当注入电流进一步增大，主模的增益增加，而边模的增益减小，振荡模式减少，最后会出现单纵模。 温度升高时激光器的发射谱的峰值波长向长波长方向移动 调制特性 在高速调制情况下，半导体激光器会出现许多复杂动态性质，这些特性会对系统传输速率和通信质量带来影响。