第四章热氧化[精选].ppt

1 3、氧化温度的影响 结论 4、硅表面晶向的影响 线性速率系数 B/A 与硅原子晶向有关，即 抛物线速率系数 B 与硅晶向无关。 5、杂质的影响 (1) 氧化层中高浓度的 Na+ 将增大 B 和 B/A ； (2) 氧化剂中若含 Cl2、HCl、DCE、TCE、TCA 等，将有利于改善 SiO2 质量和 SiO2 /Si 界面性质，并会增大 B 和 B/A； (3) 重掺杂硅比轻掺杂氧化快。硅中硼浓度增大，B 增大，B/A 的变化不大；硅中磷浓度增大，B/A 增大，B 的变化不大。 4.3 初始阶段的氧化 实验发现，在氧化膜厚度 tox 30 nm 的氧化初始阶段，氧化速率比由迪尔-格罗夫模型预测的快了 4 倍多。 可以通过对τ 值进行校正来提高模型的精度，但是这会使在氧化膜极薄时预测的氧化膜厚度比实际的偏厚。 解释氧化初始阶段氧化速率增强机理的模型主要有三种： 模型 1，氧化剂扩散穿过 SiO2 层的速率加快； 模型 2，氧化剂在 SiO2 层中的溶解度增加； 模型 3，氧化反应在 SiO2 层的一定厚度内发生， 4.4 SiO2的结构 SiO2 分为 结晶形 和 无定形 两类。结晶形 SiO2 由 Si-O 四面体 在空间规则排列而成，如水晶 ；无定形 SiO2 是 Si-O 四面体在空间无规则排列而成，为透明的玻璃体、非晶体，其密度低于前者，如热氧化的 SiO2 、CVD 淀积的 SiO2 等。 Si-O 四面体的结构是，4 个氧原子位于四面体的 4 个角上，1 个硅原子位于四面体的中心。每个氧原子为两个相邻四面体所共有。 SiO2 中硅原子要运动须打断四个 Si-O 键，而氧原子的运动最多打断两个键，因此 硅空位的出现比氧空位要困难得多。 4.5 SiO2 的特性 物理性质 Si SiO2 比重（g/cm3） 2.23 2.20 禁带宽度（eV） 1.12 ~ 8 相对介电常数 11.7 3.9 熔点（℃） 1417 1700 热导率 （W/cm.k） 1.5 0.01 击穿电场 （V/cm） 3 × 105 6 × 106 一、 二、化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 Microelectronic Fabrication MEMS Technology * 热氧化的目的 在 Si 衬底的表面生长一层 SiO2 薄膜。 第 4 章 热氧化 SiO2 薄膜的用途 1、用作选择扩散时的掩蔽膜； 2、用作离子注入时的掩蔽膜及缓冲介质层等； 3、用作绝缘介质（隔离、绝缘栅、多层布线绝缘、电容介质等）； 4、用作表面保护及钝化。 目的: 这种氧化硅是沾污并且通常是不需要的。有时用于存储器存储或膜的钝化 说明：在室温下生长速率是每小时15 ?到最大40? p+ Silicon substrate 二氧化硅 自然氧化层 目的：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层，使它们彼此隔离。 Comments：通常场氧化膜厚度从2500 ?到15000 ? 。湿氧氧化是优选的生长方法. Field oxide 晶体管位置 p+ Silicon substrate 场氧化层 栅氧化层 目的: 用做MOS晶体管栅和源漏之间的介质。 说明：通常栅氧化膜厚度从大约20?到几百?。 干热氧化是优选的生长方法 Gate oxide Transistor site p+ Silicon substrate Source Drain Gate 阻挡层氧化 目的：保护有源器件和硅免受后续工艺的影响. 说明：热生长几百埃的厚度 阻挡氧化层 Diffused resistors Metal p+ Silicon substrate 掺杂阻挡层 目的：作为掺杂或注入杂质到硅片中的掩蔽材料 说明：通过选择性扩散，掺杂物扩散到硅片未被掩蔽的区域。 Phosphorus implant p+ Silicon substrate p- Epitaxial layer Barrier Oxide n-well 目的：减小氮化硅(Si3N4)应力。 垫氧化层 说明：热生长并非常薄。 氮氧化硅，Sil