第2章_P的N结.pptVIP

* * 0 5 10 15 20 25 30 108 107 106 105 104 103 102 101 100 10-1 理想反向 实际反向 实际正向 理想正向 a b c d 实际PN结V-I特性 与理想状态下V-I 特性有偏差 * 2.4 空间电荷区的复合和产生电流 P N a ｝ ｝ Jn Jp JRG 势垒区复合电流：指来自N区的电子和来自P区的空穴 在势垒区中复合而形成的电流。 * 2.4.1 PN结空间电荷区的复合电流 P N ｝ ｝ Jn Jp JRG 正偏时，通过PN结的总电流为电子电流、空穴电流、 势垒区复合电流之和： 空间电荷区中最大的复合率为 空 间 电 荷区的 复合电流密度为 在工作电流较小（即正向偏置电压较低时）空间电荷复合区的电流作用不能忽略。随着正向电压的增减，扩散电流比例增大 锗，正向导通电压较小，一般情况下，复合电流可以忽略； 硅，正向电压大于0.5V时，复合电流也可忽略。 * 2.4.2 PN结空间电荷区中的产生电流 P N ☆ |VR| ↗ ? 势 垒 区 宽 度 ？ ? 势垒区产生电流 ？ ? 反向电流不饱和 增大 增大 c * 设P型和N型侧的耗尽层宽度分别为xp和xn,整个空间电荷层