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* 2.3 无序体系的直流电导 1.跳跃电导 体系处于强定域区，许多电子态为定域态，相邻定域态间的能量十分不同。 能量 距离R (1)两个态波函数的交叠 (2)两个格点的能量差 (1)两个态波函数的交叠 (2)两个格点的能量差 低温下(2)比(1)重要?变程跳跃 高温下(1)比(2)重要?定程跳跃 2.非晶半导体的直流电导 与晶态半导体不同之处 (1).非晶态半导体存在扩展态、带尾定域态、带隙中的缺隙定域态。这些状态中的载流子都可能对电导有贡献。 (2).非晶态半导体中的费米能级通常是“钉扎”在带隙中，基本不随温度变化。 钉扎:Fermi能级的位置不因少量的浅施主和浅受主杂质的引入而发生变化。 Fermi能级之上有带正电的状态 两者的补偿作用使EF “钉扎” Fermi能级之下有带负电的状态 价带 导带 施主 受主 EF Ev Ec 深施主带 深受主带 EB EA 3.非晶态金属的电阻率及其温度关系 非晶态金属的电阻率高于晶态金属材料的电阻率 100－300μΩcm “剩余电阻” ?无序结构，数值较大 非晶态金属的电阻率温度系数 特别小， 结构无序和杂质贡献大于原子热运动贡献 3) 很多非晶态金属在很宽范围内有负的电阻温度系数 4) Mooij经验规律： 5) 非晶态金属的电阻率随非晶结构的稳定性而发生不可逆变化。当温度升高开始晶化时电阻率将发生突变?估计非晶态金属的晶化温度。 理论模型： 1.推广的Ziman理论模型： 非金属玻璃 vs 液态金属 适用：简单金属玻璃的电导输运特性 2.类Kondo型s-d散射模型 Kondo效应：含有极少量磁性杂质的晶态金属在低温下出现电阻极小的现象。 s-d散射机制:产生电阻极小的必要条件是局域自旋具有翻转自由度。 3.双能级隧道态模型理论：非晶态中存在2个等价的原子组态 非晶金属低温电阻的电阻极小的现象 4.定域的标度理论 定域－退定域转变处电导率的变化 1973年，Mott:扩展态在迁移率边处有一最小金属电导率。 (a).一、二维体系不存在Anderson转变变化 (b).电导率连续减小为零 对于d=3, 低于一特定值Gc， 为负(绝缘态） D=1,2, 总为负，系统总是 处于绝缘态 2.4 无序系统的光学性质 0.2 0.6 0 5 15 25 非晶态Ge 晶态Ge 液态Ge 固态Ge和液态Ge有巨大差别 晶态和非晶态差别不大：短程序起首要作用 液态Ge：金属 固态Ge：半导体 光吸收，光发射，光电子学:电子能带结构，杂志缺陷，原子振动 1. 晶体的光吸收和光辐射过程 吸收系数/cm-1 10 1 0.1 0.01 10 100 10000 本征吸收区 吸收边 激子吸收 自由载流子吸收 晶格吸收 自由载流子吸收 杂质和缺陷吸收 磁吸收 回旋共振吸收 1.本征吸收:价电子?导带 2.激子吸收：电子－空穴束缚激发态 3.自由载流子吸收：导带中电子(价带中空穴）的同带跃迁，强度是载流子浓度的函数 4.晶格吸收：长光学横波声子和红外光子耦合?极化激元的激发态，光频率与晶格频率共振，吸收最大，红外区段 5.杂质和缺陷吸收： 杂质能级?自由载流子 6.磁吸收和回旋共振吸收：光吸收?电子自旋反转、自旋波量子的激发、交变磁场下磁次能级间的跃迁 固体发光：光吸收的逆过程 基态————激发态————基态 光 光 热 发光有一持续过程：10-8 s荧光; 10-8 s磷光 发光过程：能量守恒，动量守恒 2. 非晶态半导体的光吸收和光致发光 1)非晶态的本征吸收: 不需选择定则。吸收系数髙,非晶太阳能电池 2)非晶的吸收边附近 A：高吸收区 价带扩展态?导带扩展态 B：指数区 价带扩展态?导带尾定域态 定域态? 扩展态 C：弱吸收区 和杂质缺陷有关 C B A 3)原子振动与光相互作用准动量守恒关系的限制，整个频率范围 内所以的振动模都有贡献，红外、拉曼光谱比晶态的弥散、光滑 4)在高吸收区A: DOS Ev Ec 5)在非晶态半导体、特别是硫系非晶态半导体中，存在发射光子 的频率低于吸收光子频率的现象?Stokers效应 黄昆：强的电子－声子相互作用，使定域态上的电子在处于基态 和处于激发态时，原子平衡位置不同。 E E 1 2 1 2 位形 位形 6)非晶态半导体的光电导 受到光照后吸收光子而产生非平衡载流子：电子和空穴 2.5 无序系统的应用 非晶态固体的