2+太阳能光伏发电技术解剖.ppt

在实际应用中，每个电池电源都加上旁路二极管是不现实的，一般会在每个光伏电池模块中加装一个旁路二极管以保护阵列 光伏电池模块串联可以增加阵列输出的电压 单个光伏模块被遮蔽，也会影响整个阵列的输出电压和电流 （六）并联模块遮蔽效应及解决办法 太阳能电池发展趋势 光伏电池电压-电流曲线给出电池所能输出的所有可能 当接上负载后，光伏发电系统只能工作于一个特定点 工作点（运行点）即光伏电池的电压-电流曲线和负载电压-电流的交点 电阻性负载电流-电压曲线是一条直线 随着电阻的增大，运行点沿着电池的电流-电压曲线由左向右移动 在电阻改变的过程中，存在一个特点的点，获得功率最大 当负载是固定值时，外界条件的改变将导致运行点偏离最大功率点 光伏发电系统的效率变低 采用最大功率点跟踪（MPPT）可保持光伏发电工作在最高效运行点 直流电动机的电压-电流曲线与电机的工作状况有关 在给定电压下，转速通常保持不变；在给定电流下，转矩通常不变 当负载转矩需求增大时，转速会下降，使电枢电流增大 电机开始起动，电枢电流随电压的增加加速很快，直到电机转动 随着转速的上升，反电动势增大，电流随电压升高而加大的趋势变缓 上图为直流电动机的电流-电压曲线叠加在不同日照强度下一组光伏电池 电流-电压曲线上 实际运行点与理想的最大功率点不吻合 日照强度至少到400W/m2,直流电动机才能起动；维持转动只需要大约200W/m2 的日照强度 相当一部分日照无法使用，造成光伏供电系统效率低下 理想电池无论电流如何变化，电压始终保持恒定 具有垂直的电流-电压曲线 实际的电池总存在内阻，其电路模型可由一个理想电压源 和一个电阻串联而成 充电时，外施电压高于UB，随着充电过程持续， UB逐渐升高 放电时，电池的输出电压低于UB ，放电过程中， UB逐渐降低 无论一天中各种因素如何变化，都可以将阻性负载、电动机负载和 电池负载的运行点控制在光伏电池电流-电压曲线的拐点附近 电池存储的点能量通常是以额定电压和指定放电率下电池的安时 数（ A h）为单位 以铅酸电池为例,假设单个单元的额定电压为2V，电池容量通常 指在25 ℃，以一定的放电率，经过多长时间放电后电压下降到 1.75V * 半导体物理知识 太阳能电池工作原理与特性 太阳能电池生产制造工艺 太阳能电池的发展趋势 一、半导体及其主要特性 导体 绝缘体 半导体 电阻率（Ωcm） 10-8-10-6 108-1020 10-5-107 电阻率的变化受杂质含量影响极大 电阻率受光热等外界条件的影响很大 硅是地球上最丰富的元素之一，占地壳质量的25%，仅次于氧元素 地球上不存在单质硅，基本上以硅酸盐和二氧化硅的形式存在 硅的熔点为1415℃，沸点为2355 ℃ 按晶体结构分，可分为单晶硅、多晶硅和非晶硅 （一）本征半导体 晶格完整且不含杂质的半导体称为本征半导体，由于温度的影响，会使价键断裂，形成电子-空穴对。自由电子和空穴的运动时不规则的，并产生电流。这样的空穴和电子称为载流子。 （二）杂质半导体 人为地将某种杂质加到半导体材料中去的过程，叫掺杂，掺杂5价的磷元素和掺杂3价的硼元素可分别得到n型半导体和p型半导体。 （三）载流子的输运 电子和空穴发生的净位移，叫做载流子的输运，有漂移运动和扩散运动两种输运方式。 在电场的作用下，任何载流子都做漂移运动，一般情况下，少子数目远少于多子数目，因此漂移电流主要是多子贡献；扩散运动中，只有注入的少子存在很大的浓度梯度，因此扩散电流主要是少子贡献 （四）p-n结 在一块半导体晶体上，使一部分呈p型（空穴导电），一部分呈n型（电子导电），则该p型和n型半导体界面附近的区域就叫做p-n结。 P型和n型半导体接触后，由于浓度差，载流子会发生扩散运动 N型区的多子（电子）要向p型区扩散，p型区多子（空穴）向n型区扩散 扩散的结果：n型区形成正电荷区域；p型区形成负电荷区域 在p型区和n型区交界区域，形成一层很薄的空间电荷区，即p-n结 P-n结内部会产生一个内建电场，在空间电荷内将产生载流子的漂移运动 漂移运动载流子运动方向与扩散运动载流子运动方向相反 当漂移运动和扩散运动载流子数目相同时，达到动态平衡 此时内建电场电势差称为p-n结势垒 上图为一p型硅材料制成的n+/p型常规太阳能电池示意图 P层为基体，厚度为0.2mm-0.5mm P层上面是n层（定层，发射区层），它是在同一块材料的表面层用高温 掺杂扩散方法制得，由于是种掺杂，记为n+,厚度为0.2-0.5μm P层和n层之间是p-n结 发射层上面有由金属制成的上电极，基体下面有下电极 在电池的光照面，有一层减反射膜 （一）光生伏打效应 当物体受到光照时，其体内的电荷分布状态发