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TSV通孔技术研究 　　摘要：介绍了TSV技术及其优势，针对TSV中通孔的形成，综述了国内外研究进展，提出了干法刻蚀、湿法刻蚀、激光钻孔和光辅助电化学刻蚀法（ PAECE） 等四种TSV通孔的加工方法， 并对各种方法进行了比较， 提出了各种方法的适用范围。 　　关键词：TSV 干法刻蚀 湿法刻蚀 激光钻孔 光辅助电化学刻蚀 　　0 引言 　　TSV （through silicon via）技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术。图1所示是4层芯片采用载带封装方法 （见图1（a））和采用TSV方法（见图1（b））封装的外形比较。采用硅通孔TSV 技术的3D 集成方法能提高器件的数据交换速度、减少功耗以及提高输入/输出端密度等方面的性能[1-2]。采用TSV 技术也可以提高器件的良率，因为大尺寸芯片可以分割为几个功能模块的芯片（小尺寸芯片具有更高的器件良率），再将它们进行相互堆叠的垂直集成，或者将它们在同一插入中介层上进行彼此相邻的平面集成。 　　1 TSV的主要技术环节 　　硅通孔技术主要有通孔的形成、晶片减薄及TSV键合三大技术环节。 　　■ 　　（a） （b） 　　图1 TSV封装的外形比较 　　1.1 通孔的形成 　　TSV技术的核心是在晶片上加工通孔，目前，通孔加工技术主要包括干法刻蚀、湿法腐蚀、激光钻孔以及光辅助电化学刻蚀四种。 　　1.2 晶片减薄 　　为了保证通孔形成的孔径和厚度比例在一个合理的范围内，采用3D封装的晶片必须要进行减薄。目前，比较先进的多层封装技术能够将芯片的厚度控制在100μm以下，未来的芯片厚度需要减薄到25μm-1μm近乎极限的厚度。目前多采用磨削加工技术进行晶片减薄，为了解决减薄后晶片不发生翘曲、下垂以及表面损伤扩大以及晶片破裂等问题，在磨削过程中必须保持晶片始终保持平整状态，这也是晶片减薄技术中急需解决的问题。 　　1.3 TSV键合 　　TSV键合技术是指完成通孔金属化和连接端子晶片之间的互连。金属-金属键合技术以及高分子粘结键合技术等是其主要采用的技术，而目前最主要采用的键合技术是金属-金属键合技术。 　　2 TSV通孔技术 　　2.1 干法刻蚀 　　干法刻蚀是用等离子体进行薄膜刻蚀的一项技术，以等离子体形式存在的气体具有两个特点：第一，与常态下的气体相比，等离子体中的这些气体的化学活性更强，为了更快的与材料发生反应以实现刻蚀去除的目的，应当根据被刻蚀材料的不同选择合适的气体；第二，为了达到利用物理能量转移实现刻蚀的目的，可以利用电场对等离子体进行引导和加速，使得离子具有一定的能量，当其轰击被刻蚀物表面时，就会击出被刻蚀物材料的原子。因此，干法刻蚀是晶圆片表面物理和化学两种过程相互平衡的结果，其中干法刻蚀又分为物理性刻蚀、化学性刻蚀以及物理化学性刻蚀三种。 　　2.2 湿法腐蚀 　　将晶片放置于液态化学腐蚀液中进行的腐蚀称为湿法腐蚀，在腐蚀过程中，腐蚀液通过化学反映将接触的材料逐步浸蚀溶解掉。化学腐蚀的试剂包括很多种，有酸性的、碱性的以及有机腐蚀剂等。根据选择的腐蚀剂，又分为各向同性腐蚀以及各向异性腐蚀剂。 　　干法刻蚀用来刻蚀的气体流量容易控制，刻蚀速度和刻蚀深度可以计算，且侧壁近似垂直状。湿法腐蚀由于溶液的浓度会随着反应的进行不断变化，反应速率不易控制，所以渐渐被干法刻蚀所取代。但是湿法腐蚀一个很大的优点是成本低廉，而且对于同一个图形的硅晶圆在同样浓度溶液中的腐蚀过程是可以重复的，只要找到同一图形的硅晶圆、在同一配比的溶液中刻蚀深度与时间的关系，便可以准确制作出一定厚度的超薄芯片。 　　袁娇娇等人对硅晶圆进行打孔和减薄，分别使用先打孔后减薄的深反应离子刻蚀和先减薄后打孔的湿法腐蚀工艺，然后利用电镀工艺填充TSV并制作了用于键合的凸点，在表面进行微加工工艺，最后激光划片，得到了超薄芯片[3]。 　　2.3 激光钻孔 　　由于激光具有高能量，高聚焦等特性，依据光热烧蚀和光化学裂蚀原理形成目前常用的两种激光钻孔方式，一种是CO2激光钻孔，另一种是UV激光钻孔。CO2激光钻孔是由光热烧蚀机理在极短的时间以波大于760nm的红外光将有机板材予以强热熔化或汽化，使之被持续移除而成孔。UV激光钻孔利用光化学裂蚀机理，通过发射位于紫外线区的，激光波长小于400nm的高能量光子，使基板材料中长分子链高分子有机化合物的化学键撕裂，在众多碎粒体积增大和外力抽吸下，使基材被快速移除，从而形成微孔。UV激光钻孔不需要烧蚀的盲孔进行除胶渣工序，但是其加工方式为单孔逐次加工，在加工效率方面大大落后于CO2激光钻孔，一般CO2激光钻孔的速率是UV激光的4～5倍。 　　蔡积庆研究了采用二氧化碳CO2激光在高密度互连（HDI）印制板（PCB）的铜导体