模拟电路考试题及答案[精选].doc

自测题一 一、判断题 1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ） 2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。 A．外电场 B．内电场 C．掺杂 D．热激发 2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。 A．正、反向电阻相等 B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍 D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ）。(X 轴为电压) A．右移 B．左移 C．上移 D．下移 4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（ A ）。 A．增大 B．减小 C．不变 D．不确定 5．三极管值是反映能力的参数电压控制电压电流控制电流电压控制电流电流控制电压 值将（ A ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ）。 A．电流放大系数 B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流 D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为，，，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A．e, b, c B．b, e, c C．b, c, e D．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A．多数载流子 B．少数载流子 C．扩散 D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（ D ）。（发正偏集反偏） A．PNP型硅管 B．PNP型锗管 C．NPN型锗管 D．NPN型硅管 11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ）。 A．非饱和区 B．饱和区 C．截止区 D．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（ B ）。 A．能够形成导电沟道 B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零 D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的 单向导电性 性能。 4．PN结加正向电压时，空间电荷区将 变窄 。 5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用 。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8．场效应晶体管属于 10．时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型MOS管 。 11．开启电压的是 N沟道增强型 场效应管。 12．开启电压的是 P沟道增强型 场效应管。4 自测题二 一、判断题 1．晶体管的输入电阻是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。（ F ） 2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。（ T ） 3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。（ F ） 4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。（ F ） 5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。（ F ） 二、单选题 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ）。 A．增大 B．减少 C．不变 D．不能确定 3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ）。 A．共射放大电路 B．共基放大电路 C．共集放大电路