模电重点总结~~复习必备~~[精选].ppt

运算电路运算关系的求解方法 在运算电路中都引入了深度负反馈，可认为运放的净输入电压为0（即虚短），净输入电流也为0（虚断）。以“虚短”和“虚断”为基础，利用节点电流法和叠加原理（适于多个输入信号的情况）即可求得输出与输入的运算关系。 差分放大电路 长尾式、恒流源式 特点和典型功能：有两个输入端、四种接法、温漂小；作集成运放输入级 指标参数：Ad，Ri，Ro 差分放大电路 静态分析：注意双端输出与单端输出各自的特点 动态分析： 输入输出方式 两种信号 双端输入 与单端输入还是双端输入无关，只与输出方式有关： 差动放大器动态参数计算 双端输出时： 单端输出时： (2)共模电压增益 双端输出时： 单端输出时： (1)差模电压增益 (3)差模输入电阻 不论是单端输入还是双端输入，差模输入电阻Rid是基本放大电路的两倍。 单端输出时， 双端输出时， (4)输出电阻 反馈放大电路 反馈类型的判断 负反馈对放大电路性能的影响 深度负反馈下的近似估算 反馈稳定性判断 深度负反馈条件下的近似计算 一、 估算的依据 深度负反馈： 深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈系数有关。 由 得 方法一： 估算电压增益 方法二： 根据 将 代入上式 得 即：输入量近似等于反馈量 净输入量近似等于零 由此可得深度负反馈条件下，基本放大电路“虚短”、“虚断”的概念 或 深度负反馈条件下：Xid=Xi-Xf≈0 u+=u-（运放电路） ue=ub（三极管电路） (1)“虚短”——uid≈0 (2)“虚断”——iid≈0 ii+=ii-=0 （运放电路） ib=0（三极管电路） “虚短”与“虚断” - u - － R + ∞ + f u + R - u + 1 f A id + i + + - u + f u i + - T f R + u - id u + － A + ∞ i f R i i f i i i+ i- i + + T - i + u f R i i i b i f 串联负反馈，输入端电压求和 虚短 虚断 虚短 虚断 并联负反馈，输入端电流求和 判断能否自激的方法 （1）画出 的波特图 （2）找出两个特定的频率 （3）判断 （4）若不自激，则判断幅度裕度和相位裕度 方法一： (2) 作 水平线 (1) 作出 的幅频响应和相频响应波特图 (3) 判断是否满足相位裕度 ?m ? 45? 将 写为： 即： 方法二: 集成运放 线性应用 非线性应用 集成运放 引入负反馈 运算电路 比例运算 加减运算 积分运算 反相 同相 集成运放 开环或仅引入正反馈 电压比较器 单限 滞回 窗口 在求解运算放大电路中经常用到叠加原理 反相比例运算 运算电路 同相比例运算电路 电压跟随器 反相加法器（反相输入求和电路） 同相求和运算（同相输入求和电路） 减法器 积分运算电路 * 总 复 习 器件部分 分析方法 电路部分 一、器件部分 半导体器件（二极管、三极管、场效应管） 集成运放 二极管的应用 1、二极管 稳压管： 工作原理： 利用稳压管的反向击穿特性稳压的，由于反向特性陡直，较大的电流变化，只会引起较小的电压变化。 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻 三极管放大的内部条件和外部条件 内部条件：发射区杂质浓度远大于基区杂质浓 度，且基区很薄。 外部条件：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 对NPN管： UCUBUE 对PNP管： UCUBUE 2、三极管 电流法判别是否工作在饱和区 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 临界饱和电流 ICS和IBS ： iB=f(uBE)? uCE=常数 1. 输入特性曲线 三极管特性曲线（共发射极） iC=f(uCE)? iB=常数 2. 共射电路输出特性曲线 由PCM、 ICM和U(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 3、场效应管 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) (1)输出特性曲线： iD=f（ uDS ）│uGS=常数 特性曲线 (2)转移特性曲线： iD=f（ uGS ）│uDS=常数 可根据输出特性曲线作出转移特性曲线（在饱和区内）