材料的电学性能幻灯片.ppt

3.减少或防止静电现象的方法 1）提高空气的相对湿度 2）表面抗静电剂 3）混纺 a.合成纤维与吸湿性好的纤维混纺 b.按电位序列使带正电荷与带负电荷纤维混纺 4）抗静电纤维：金属、导电纤维 5）织物防静电整理 * 热电子效应 固体受热后，出现大量电子逸出固体进入真空，形成电子发射的热电现象称为热电子效应。1、热电子发射机理固体受热，内部自由电子的动能增加，当温度足够高、动能足够大（大于逸出功），电子逸出固体表面。2、热电子效应的应用电子管、X射线管，阴极射线管，电子显微镜等 6 热电性 4.3 压电效应 定义：在某些晶体（绝缘介电材料）的一定方向上施加压力或拉力，则在晶体的一些对应的表面上分别出现正、负电荷，其电荷密度与施加的外力大小成正比。 力致形变产生电极化。 晶体的非中心对称性是产生压电效应的必要条件。 常见的压电晶体： α石英晶体、钛酸钡、铌酸锂等。 7 压电性 2.13.2 压电效应的应用 压电振荡器(石英振荡器） 超声发射器和接收器 信号处理器 压电发电机、压电马达 7 压电性 8 铁电性 铁电性 介电材料中，无外加电场时，宏观上并不表现出极化现象。在外电场的作用下，具有电极化滞后的现象（电滞）。这类材料称为铁电体。 铁电体由于自发极化可以在内部形成若干均匀极化的区域，它们的极化方向不同，这些区域称为电畴。晶体宏观上不表现出电极性。 铁电体的特征是具有电畴结构的晶体，这些电畴的界面称为“畴壁”。 原因： 8 铁电性 9 光电性 光电性：某些物质（金属和半导体）受到光照后，引起物质电性发生变化。 原因： 是光子与电子相互作用的结果。光子主要是被吸收或改变频率和方向；电子发生能量和状态的变化，从束缚区域的状态转变到比较自由的状态，因而导致物质电性的变化。 2.16.1 外光电效应 固体受光照后从表面逸出电子的现象称为外光电效应或光电发射效应，逸出的电子称为光电子。 近代物理已确认了光的波粒二象性，外光电效应是光的粒子性的表现。同时爱因斯坦建立了如下公式： 应用：光电倍增管。用于探测各种高能粒子。 9 光电性 2.16.2 内光电效应 物体受光照后无电子发射，但其电导率发生变化或产生电动势，这种现象称为内光电效应。 1、光电导效应 半导体受光辐射时，电导率增加而变得易于导电。 半导体不受光辐射时，导带中的自由电子极少，近似空带，而价电子全部束缚于满的价带中，故电导率很小。要打破电子的这种分布格局，就必须输入能量，以破坏原子间的价键，将电子从价带提升到导带-光电导效应。 9 光电性 应用：（1）光敏电阻（2）红外光电导探测器（3）高速光电开关（4）光电导摄像管（5）静电复印机的有机光电导体等光探测器。 （2）光磁电效应 当在垂直与光照的方向上再加一个磁场，则在半导体的两侧端面间将产生电位差，此现象称为光磁电效应。 9 光电性 （3）PN结光生伏特效应 当光照射在PN结上，在PN结上会产生电动势（电位差），此现象称为PN结光生伏特效应。 9 光电性 10 磁电性 将运动的导体，通电的导体或半导体置于磁场中，产生电动势（电位差）、电阻变化等，这类磁致电变的现象称为磁电效应。 2.17.1 霍尔效应 磁场对载流导体或半导体中的载流子有作用，致使产生横向电位差的现象称为霍尔效应。 普通金属的霍尔效应 霍尔电压与导体的宽度成正比。 霍耳系数RH=1/nq，与载流子的浓度n成反比，正、副由载流子所带电荷决定。 金属载流子是电子霍耳系数为负值。P型半导体为正值，N型半导体为负值。 10 磁电性 2 . 半导体的霍尔效应 特点：1）效应更显著；2）N型、P型 3. 霍尔效应的应用 10 磁电性 2.17.2 磁电阻效应 磁场对载流导体或半导体中的载流子作用，致使电阻值发生变化的现象称为磁电阻效应。 磁电阻效应分为：物理磁电阻效应、几何磁电阻效应。 物理磁电阻效应是材料的电阻率随磁场增大的效应，故又称磁电阻率效应。 几何磁电阻效应是电阻随样品几何形状而变化。 产生磁电阻效应的原因是磁场改变了载流子的漂移路径，致使与外加电场同方向的电流分量减小，等价于电阻增大。磁场的方向与外电场相垂直时的磁电阻效应称为横向磁电阻效应，而二者平行时称为纵向磁电阻效应。 10 磁电性 2.17.3 磁生电效应 磁动生电动势 磁感生电动势