热丝化学气相沉积(HFCVD)制备金刚石薄膜[精选].doc

热丝化学气相沉积（HFCVD）制备金刚石薄膜 摘要：本文简要阐述了热丝CVD制备金刚石薄膜的技术原理，探讨了影响金刚石薄膜生长的主要因素，并简要介绍了几种CVD制备金刚石薄膜的方法。 关键词：金刚石薄膜 热丝CVD 化学气相沉积法 1. 引言 上世纪80年代初，欧美日等发达国家掀起了化学气相沉积合成金刚石膜新材料的研究，到90年代，从理论上基本上摸清了化学气相沉积金刚石膜的生长机制，进入21世纪，无论从沉积技术，加工技术还是应用方面都取得了极大的进展。这期间，人们开发了热丝CVD法，直流等离子CVD法，射频等离子CVD法，微波等离子CVD法，直流电弧等离子CVD法，火焰燃烧CVD法，甚至激光CVD法等，经过20多年的发展，就其产业化规模和影响力来讲，微波CVD和热丝CVD为主要应用技术。 2．金刚石的优点及应用 金刚石又名钻石，是碳的同素异构体，属于立方晶系，具有面心立方结构，典型的原子晶体。金刚石具有很多无与伦比的优异性能，机械特性、热学特性、透光性、纵波声速、半导体特性及化学惰性等，在自然界所有的材料中均是首屈一指的。 2.1 电学性能 CVD金刚石相对其它半导体材料具有禁带宽度大，介电常数小及较高的载流子迁移率和极高的热导率，可作为高温半导体材料和发光材料[1,2]。 2.2 热学性能 CVD金刚石膜具有高热导率、高绝缘电阻、极低热膨胀系数等特性，可作热沉处理。(室温下金刚石导热率为硅的15倍、铜的5倍。)例如可制作微波管、激光二极管、列阵器件、大功率集成电路等高功率密度电路元件散热片，从而提高该器件的功率寿命。 2.3 光学性能 CVD金刚石膜透射光谱带最宽，对可见光与红外光透明、抗辐照损伤性强、耐腐蚀和耐磨损等特性，可用作窗口材料(如X光窗口、红外窗口等)和磁盘、光盘、透镜、窗口、紫外激光器、毫米波天线罩等保护涂层。 2.4 机械性能 CVD金刚石膜具有高硬度和耐磨性，可制备高性能工具，高强度耐磨材料。 但是由于自然界中金刚石储量极少，并且开采也非常困难，因此价格昂贵，而且无论天然金刚石还是高温高压下合成的人造金刚石都是离散的颗粒状，应用范围受到了很大限制。近几年，发达国家对化学气相沉积(简称CVD)金刚石膜制备及应用开发研究进行了大量投资。由于CVD金刚石制造成本低，可以大面积化、曲面化，而且其厚度可按需要从不足1μm直至数毫米，而且制备出的CVD金刚石薄膜物理性和天然金刚石基本相同或接近，化学性质完全相同，使金刚石的应用领域大大扩大。 3. CVD金刚石薄膜的制备方法 CVD金刚石薄膜的制备方法全称低压化学气相沉积金刚石法，近十年来已取得了重大进展。 通过比较不同的CVD方法沉淀金刚石的特点可知，热丝CVD法具有技术成本较低，工艺参数可控性好，设备简单，易于大面积生长等优势，目前直径和厚度已达300mm和2mm以上，该方法在涂层方面取得很好的成绩，代表性的企业有美国的SP3、Crystallame、CVD-diamond、Diamonex、DDK等公司。 4. 热丝化学气相沉积法（HFCVD） 热丝CVD法是在基片表面的附近用Φ0.15mm左右螺旋钨丝通电加热、钨丝温度控制2000～2200℃。真空室压力控制40乇左右，基片温度控制在700～1000℃左右，基片与钨丝距离l＜10mm，然后通入CH4和H2混合气体，使它们激发离解，从而在基片表面生成金刚石。 热丝CVD法沉淀金刚石的影响因素有：衬底（基片）材料 及其预处理、沉积气源（主要指碳浓度）、灯丝及衬底温度、灯丝到衬底的距离、气体压强和氢原子在沉积过程中的作用等等。在这里分别就衬底材料、碳源浓度、衬底温度、灯丝温度和工作气压对CVD金刚石生长的影响做简单的了解 4.1 衬底材料 基片材料是影响金刚石膜成核生长的关键因素之一。选择基材过程中，一般遵循这几点：⑴所选基材易在该基材表面生成该种基材碳化物的材料，如Ti、Zr、Mo、W、Si,金刚石等，在它们表面就易形成TiC、ZrC、MoC、WC、SiC等基材碳化物。⑵所选基材膨胀系数或晶格结构与金刚石尽量接近或差别不大，否则，沉积生长的膜层就会因受热膨胀过大、过小造成膜层剥离和龟裂。⑶所选基材可被腐蚀去除，以利于制备出纯金刚石膜。 4.2 碳源浓度 金刚石的形核必须在一定碳浓度下才能进行，不同的碳源浓度对金刚石的晶核显露及金刚石成膜质量都有很大影响。碳浓度太低使形核无法进行，而浓度太高将造成石墨和非晶碳的大量生成，表面反应和成核过快，使金刚石不纯，碳浓度还强烈影响金刚石的形核密度，适中的浓度可获得高的形核密度和形核质量，目前金刚石的形核的碳浓度范围在0.5%~5%之间，实际操作中，需要调节形核浓度和成膜浓度工艺，一般成膜生长时碳源浓度高些。 4.3衬底温度 基片温度同样对成膜质量有